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三星电子HBM3E内存已获英伟达验证
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三星芯片主管警告：不改革将陷入“恶性循环”
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消息称英伟达H200芯片2024Q3大量交付
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NVIDIA13亿美元大单预定HBM3E内存
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SK海力士展示HBM3E等AI内存解决方案
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SK 海力士将提升1b nm DRAM 产能以满足HBM3E内存需求
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黄仁勋确认三星HBM3e未通过英伟达认证
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消息称三星电子8层堆叠HBM3E内存尚未正式通过英伟达验证
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SK海力士：12层堆叠HBM3E开发三季度完成
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消息称三星和AMD签署价值4万亿韩元的HBM3E 12H供货协议
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消息称三星将向英伟达独家供应12层HBM3E
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SK海力士开始量产HBM3E内存，本月下旬起向英伟达供货
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三星开发业界首款36GB HBM3E存储芯片
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美光宣布量产24GB的HBM3E，将用于英伟达H200
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