《电子技术应用》
您所在的位置:首页 > EDA与制造 > 业界动态 > 美光宣布单颗36GB HBM3E内存

美光宣布单颗36GB HBM3E内存

惊人带宽1.2TB/s
2024-09-11
来源:IT之家
关键词: 美光 HBM3E 12-Hi堆栈

9月10日消息,美光官方宣布,已经完成12-Hi堆栈的新一代HBM3E高带宽内存,单颗容量达36GB,比之前的8-Hi 24GB增大了足足一半。

它将用于顶尖的AI、HPC计算产品,比如NVIDIA H200、B200等加速卡,单卡就能轻松运行700亿参数的Llama2等大模型,不再需要频繁调用CPU,从而减少延迟、提高数据处理效率。

美光12-Hi 36GB HBM3E内存还有着9.2Gbps的超高速率,单颗就能提供超过1.2TB/s的惊人带宽,而且功耗比8-Hi版本更低。

台积电CoWoS封装技术制造,也就是NVIDIA H100、H200等普遍使用的技术,彼此可以轻松搭配。

支持完全可编程的MBIST(内存内置自测试),可以模拟全速下的系统负载,方便快速完成测试验证,加快上市。

美光表示,12-Hi HBM3E已经提供给关键伙伴进行验证。


Magazine.Subscription.jpg

本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306118;邮箱:aet@chinaaet.com。