一种基于MEMS的小型化双通带宽带滤波器芯片

一种基于MEMS的小型化双通带宽带滤波器芯片[MEMS|传感技术][通信网络]

基于Micro-Electro-Mechanical System(MEMS)工艺，采用双层谐振腔滤波结构，分析并设计了一种基于MEMS的硅基Substrate Integrated Waveguide(SIW)双通带宽带带通滤波器芯片。设计的滤波器芯片在21.25～29 GHz以及43～47.5 GHz双通带频带内插入损耗小于3 dB，相对带宽分别为30%以及10%，带外抑制度大于20 dB，并且在双通带间产生了零点，尺寸仅为4.2 mm×1.1 mm×0.8 mm。该滤波器是平面堆叠结构，具有体积小、频带宽、易集成等优点，有较好的应用价值。

发表于：7/5/2021 4:21:00 PM

一种用于时间交织型SAR ADC的电容校正技术

一种用于时间交织型SAR ADC的电容校正技术[其他][其他]

时间交织型SAR ADC对包括电容失配在内的通道间失配较敏感，其中电容失配既包括通道内的失配也包括通道间的失配，是影响时间交织型SAR ADC性能的重要因素。为了提升时间交织型SAR ADC的性能，基于对SAR ADC中DAC电容失配对时间交织型SAR ADC影响的分析，结合单通道低速工作SAR ADC的电容校正方法，提出了一套适用于时间交织型SAR ADC的电容校正方法，实现了超过9 dB的SFDR和超过2.5 dB的SNDR性能提升。

发表于：7/5/2021 4:19:00 PM

高频驱动电路与高效GaN HEMT电源模块的实现

高频驱动电路与高效GaN HEMT电源模块的实现[电源技术][其他]

为了满足当前电源模块高效大功率的要求，针对氮化镓器件设计一款高频驱动电路，并搭建形成高频高效的电源模块。电路通过调节死区最小化处理模块与非重叠模块，抑制功率器件的大电流直通现象，有助于提升电源模块的效率；利用氮化镓器件的高频特性，使电源系统的工作频率大幅提升。电源系统测试结果表明，1 MHz时输出波形上升沿、下降沿时间分别为10 ns和5 ns；10 MHz时输出波形上升沿、下降沿时间分别为14 ns和8 ns。系统可实现10 W左右的大功率输出。1 MHz和10 MHz工作频率下系统达到的效率分别为93.7%和83.5%。

发表于：7/5/2021 4:16:00 PM

Faster RCNN和LGDF结合的肝包虫病CT图像病灶分割

Faster RCNN和LGDF结合的肝包虫病CT图像病灶分割[测试测量][医疗电子]

针对人工阅片工作量大、阅片质量不佳且容易出现漏检、错判等问题，将Faster RCNN目标检测模型应用于肝包虫病CT图像的检测，并对目标检测模型进行改进：基于图片分辨率低、病灶大小不同的特点，使用网络深度更深的残差网络(ResNet101)代替原来的VGG16网络，用以提取更丰富的图像特征；根据目标检测模型得出的病灶坐标信息引入LGDF模型进一步对病灶进行分割，从而辅助医生更高效的诊断疾病。实验结果表明，基于ResNet101特征提取网络的目标检测模型能够有效提取目标的特征，检测准确率相比原始检测模型提高2.1%，具有较好的检测精度。同时，将病灶坐标信息引入LGDF模型，相比于原始的LGDF模型更好地完成了对肝包虫病病灶的分割，Dice系数提高了5%，尤其对多囊型肝包虫病CT图像的分割效果较好。

发表于：7/5/2021 4:14:00 PM

基于强化学习的特征工程算法研究

基于强化学习的特征工程算法研究[其他][其他]

特征工程可以自动地处理和生成那些判别性高的特征，而无需人为的操作。特征工程在机器学习中是不可避免的一环，也是至关重要的一环。提出一种基于强化学习(RL)的方法，将特征工程作为一个马尔可夫决策过程(MDP)，在上限置信区间算法(UCT)的基础上提出一个近似的方法求解二分类数值数据的特征工程问题，来自动获得最佳的变换策略。在5个公开的数据集上验证所提出方法的有效性，FScore平均提高了9.032%，同时与其他用有限元变换进行特征工程的方法进行比较。该方法确实可以得到判别性高的特征，提高模型的学习能力，得到更高的精度。

发表于：7/5/2021 4:12:00 PM

从算法发展研究人工智能应用问题与对策

从算法发展研究人工智能应用问题与对策[人工智能][其他]

基础硬件的发展带来了算力的提高，深度学习算法的出现和应用奠定了人工智能技术理论基础，Google、百度等高科技公司将人工智能应用的作为重点领域而加大投入，从而加速了人工智能的落地。当前人工智能已成为引领信息产业革命的最重要的技术手段。与此同时，人工智能对人类的潜在威胁也在加剧。对人工智能算法进行分析，归纳算法发展过程及缺陷，并总结这些缺陷可能引发的技术问题和伦理问题。最后，对人工智能的应用，从算法和伦理角度给出一定的对策。

发表于：7/5/2021 4:10:00 PM

2.3～2.7 GHz双模式低噪声射频接收前端全集成芯片的设计

2.3～2.7 GHz双模式低噪声射频接收前端全集成芯片的设计[微波|射频][其他]

基于GaAs pHEMT工艺设计了一款2.3～2.7 GHz双模式低噪声射频接收前端全集成芯片。该接收前端芯片包含一个单刀双掷(SPDT)收发开关及一个带旁路功能的低噪声放大器。一方面，采用带源级电感负反馈的共源共栅结构实现了放大器模式，将SPDT开关作为放大器输入匹配网络的一部分，一体化优化设计获得最少元件及较高Q值的输入匹配网络，进而实现低噪声、高增益和良好的输入回波损耗匹配；另一方面，采用多组开关联合实现了旁路功能用于衰减高输入功率的射频信号。测试结果表明，在2.3～2.7 GHz的宽频带范围内，实现的接收前端芯片在LNA模式下的噪声系数可达到1.53～1.64 dB的较低水平，且增益在18.1～19.2 dB之间，在2.5 GHz时输入1 dB压缩点为-1.5 dBm；在旁路模式下，插入损耗在工作频段内维持在约6～7 dB的水平。

发表于：7/5/2021 4:07:00 PM

Ka波段频率源建模分析与设计

Ka波段频率源建模分析与设计[其他][其他]

利用锁相环与多次倍频的方式设计了一个Ka波段的用于小型化交会参数探测单元的频率源。该频率源输出频率为36 GHz，输出功率大于15 dBm。在设计时使用数学建模的方法对锁相环各个部分进行建模，然后得到系统的传递函数，通过对闭环系统的系统函数分析，得到能够使系统稳定工作的系统参数。最后使用裸芯片以微组装的形式加工到RO4350和RO5880基板与腔体上，并完成测试。测试结果表明，使用数学建模的方式能够得到稳定工作频率源。

发表于：7/5/2021 4:06:00 PM

基于场路耦合的反激变换器板级辐射研究

基于场路耦合的反激变换器板级辐射研究[电源技术][其他]

辐射干扰问题是制约电源产品高频化、小型化的因素之一。基于场路耦合的仿真思路，建立MOSFET的电磁场有限元模型和高频变压器的等效高频电路模型。结合从SIwave电磁仿真软件中提取的PCB网络参数，对一款5 W输出的反激变换器的板级辐射干扰进行联合仿真，并对比了两种高频变压器模型对远场仿真结果的影响。实验结果表明，在230 MHz以内的频段3 m远场仿真超标频点与实测吻合，验证了该仿真方法的正确性，且简化的变压器二电容模型具有更宽频带的适用性；所得到的近场电磁场分布表明MOSFET和变压器副边的整流二极管是主要的辐射源。

发表于：7/5/2021 4:02:00 PM

采用平面分栅结构的高增益宽带射频VDMOS研制

采用平面分栅结构的高增益宽带射频VDMOS研制[微波|射频][其他]

硅基射频场效应晶体管具有线性度好、驱动电路简单、开关速度快、热稳定性好、没有二次击穿等优点，在HF、VHF和UHF波段具有广阔的应用前景。针对射频场效应晶体管宽带、高增益和高效率的应用需求，基于标准平面MOS工艺，采用平面分栅(split gate)结构，通过优化结构和工艺参数研制出一款工作电压为28 V的硅基射频垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)。该器件在30~90 MHz频段范围内，小信号增益大于19 dB，在60 MHz频点下连续波输出功率可以达到87 W，功率附加效率达72.4 %，具有优异的射频性能。

发表于：7/5/2021 3:57:00 PM