一种用于时间交织型SAR ADC的电容校正技术

一种用于时间交织型SAR ADC的电容校正技术[其他][其他]

时间交织型SAR ADC对包括电容失配在内的通道间失配较敏感，其中电容失配既包括通道内的失配也包括通道间的失配，是影响时间交织型SAR ADC性能的重要因素。为了提升时间交织型SAR ADC的性能，基于对SAR ADC中DAC电容失配对时间交织型SAR ADC影响的分析，结合单通道低速工作SAR ADC的电容校正方法，提出了一套适用于时间交织型SAR ADC的电容校正方法，实现了超过9 dB的SFDR和超过2.5 dB的SNDR性能提升。

发表于：2021/7/5 下午4:19:00

高频驱动电路与高效GaN HEMT电源模块的实现

高频驱动电路与高效GaN HEMT电源模块的实现[电源技术][其他]

为了满足当前电源模块高效大功率的要求，针对氮化镓器件设计一款高频驱动电路，并搭建形成高频高效的电源模块。电路通过调节死区最小化处理模块与非重叠模块，抑制功率器件的大电流直通现象，有助于提升电源模块的效率；利用氮化镓器件的高频特性，使电源系统的工作频率大幅提升。电源系统测试结果表明，1 MHz时输出波形上升沿、下降沿时间分别为10 ns和5 ns；10 MHz时输出波形上升沿、下降沿时间分别为14 ns和8 ns。系统可实现10 W左右的大功率输出。1 MHz和10 MHz工作频率下系统达到的效率分别为93.7%和83.5%。

发表于：2021/7/5 下午4:16:00

Faster RCNN和LGDF结合的肝包虫病CT图像病灶分割

Faster RCNN和LGDF结合的肝包虫病CT图像病灶分割[测试测量][医疗电子]

针对人工阅片工作量大、阅片质量不佳且容易出现漏检、错判等问题，将Faster RCNN目标检测模型应用于肝包虫病CT图像的检测，并对目标检测模型进行改进：基于图片分辨率低、病灶大小不同的特点，使用网络深度更深的残差网络(ResNet101)代替原来的VGG16网络，用以提取更丰富的图像特征；根据目标检测模型得出的病灶坐标信息引入LGDF模型进一步对病灶进行分割，从而辅助医生更高效的诊断疾病。实验结果表明，基于ResNet101特征提取网络的目标检测模型能够有效提取目标的特征，检测准确率相比原始检测模型提高2.1%，具有较好的检测精度。同时，将病灶坐标信息引入LGDF模型，相比于原始的LGDF模型更好地完成了对肝包虫病病灶的分割，Dice系数提高了5%，尤其对多囊型肝包虫病CT图像的分割效果较好。

发表于：2021/7/5 下午4:14:00

基于强化学习的特征工程算法研究

基于强化学习的特征工程算法研究[其他][其他]

特征工程可以自动地处理和生成那些判别性高的特征，而无需人为的操作。特征工程在机器学习中是不可避免的一环，也是至关重要的一环。提出一种基于强化学习(RL)的方法，将特征工程作为一个马尔可夫决策过程(MDP)，在上限置信区间算法(UCT)的基础上提出一个近似的方法求解二分类数值数据的特征工程问题，来自动获得最佳的变换策略。在5个公开的数据集上验证所提出方法的有效性，FScore平均提高了9.032%，同时与其他用有限元变换进行特征工程的方法进行比较。该方法确实可以得到判别性高的特征，提高模型的学习能力，得到更高的精度。

发表于：2021/7/5 下午4:12:00

从算法发展研究人工智能应用问题与对策

从算法发展研究人工智能应用问题与对策[人工智能][其他]

基础硬件的发展带来了算力的提高，深度学习算法的出现和应用奠定了人工智能技术理论基础，Google、百度等高科技公司将人工智能应用的作为重点领域而加大投入，从而加速了人工智能的落地。当前人工智能已成为引领信息产业革命的最重要的技术手段。与此同时，人工智能对人类的潜在威胁也在加剧。对人工智能算法进行分析，归纳算法发展过程及缺陷，并总结这些缺陷可能引发的技术问题和伦理问题。最后，对人工智能的应用，从算法和伦理角度给出一定的对策。

发表于：2021/7/5 下午4:10:00

2.3～2.7 GHz双模式低噪声射频接收前端全集成芯片的设计

2.3～2.7 GHz双模式低噪声射频接收前端全集成芯片的设计[微波|射频][其他]

基于GaAs pHEMT工艺设计了一款2.3～2.7 GHz双模式低噪声射频接收前端全集成芯片。该接收前端芯片包含一个单刀双掷(SPDT)收发开关及一个带旁路功能的低噪声放大器。一方面，采用带源级电感负反馈的共源共栅结构实现了放大器模式，将SPDT开关作为放大器输入匹配网络的一部分，一体化优化设计获得最少元件及较高Q值的输入匹配网络，进而实现低噪声、高增益和良好的输入回波损耗匹配；另一方面，采用多组开关联合实现了旁路功能用于衰减高输入功率的射频信号。测试结果表明，在2.3～2.7 GHz的宽频带范围内，实现的接收前端芯片在LNA模式下的噪声系数可达到1.53～1.64 dB的较低水平，且增益在18.1～19.2 dB之间，在2.5 GHz时输入1 dB压缩点为-1.5 dBm；在旁路模式下，插入损耗在工作频段内维持在约6～7 dB的水平。

发表于：2021/7/5 下午4:07:00

Ka波段频率源建模分析与设计

Ka波段频率源建模分析与设计[其他][其他]

利用锁相环与多次倍频的方式设计了一个Ka波段的用于小型化交会参数探测单元的频率源。该频率源输出频率为36 GHz，输出功率大于15 dBm。在设计时使用数学建模的方法对锁相环各个部分进行建模，然后得到系统的传递函数，通过对闭环系统的系统函数分析，得到能够使系统稳定工作的系统参数。最后使用裸芯片以微组装的形式加工到RO4350和RO5880基板与腔体上，并完成测试。测试结果表明，使用数学建模的方式能够得到稳定工作频率源。

发表于：2021/7/5 下午4:06:00

基于场路耦合的反激变换器板级辐射研究

基于场路耦合的反激变换器板级辐射研究[电源技术][其他]

辐射干扰问题是制约电源产品高频化、小型化的因素之一。基于场路耦合的仿真思路，建立MOSFET的电磁场有限元模型和高频变压器的等效高频电路模型。结合从SIwave电磁仿真软件中提取的PCB网络参数，对一款5 W输出的反激变换器的板级辐射干扰进行联合仿真，并对比了两种高频变压器模型对远场仿真结果的影响。实验结果表明，在230 MHz以内的频段3 m远场仿真超标频点与实测吻合，验证了该仿真方法的正确性，且简化的变压器二电容模型具有更宽频带的适用性；所得到的近场电磁场分布表明MOSFET和变压器副边的整流二极管是主要的辐射源。

发表于：2021/7/5 下午4:02:00

采用平面分栅结构的高增益宽带射频VDMOS研制

采用平面分栅结构的高增益宽带射频VDMOS研制[微波|射频][其他]

硅基射频场效应晶体管具有线性度好、驱动电路简单、开关速度快、热稳定性好、没有二次击穿等优点，在HF、VHF和UHF波段具有广阔的应用前景。针对射频场效应晶体管宽带、高增益和高效率的应用需求，基于标准平面MOS工艺，采用平面分栅(split gate)结构，通过优化结构和工艺参数研制出一款工作电压为28 V的硅基射频垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)。该器件在30~90 MHz频段范围内，小信号增益大于19 dB，在60 MHz频点下连续波输出功率可以达到87 W，功率附加效率达72.4 %，具有优异的射频性能。

发表于：2021/7/5 下午3:57:00

基于SEIR模型的复杂网络上的动态隔离措施研究

基于SEIR模型的复杂网络上的动态隔离措施研究[其他][其他]

在尚未研发出有效疫苗前，对潜在感染者和易感者的隔离对于流行病控制而言具有十分重要的意义。研究采用潜伏者具有传染性的SEIR(Susceptible-Exposed-Infected-Recovered)模型，并提出两种动态隔离方法：一是在掌握网络全局信息时，计算候选隔离对象一阶邻居的有效度、介数、距离确诊者节点的路径长度之和，把三者乘积作为其权重；二是在仅有节点局域信息时，将候选隔离对象的有效边数和相邻感染节点数的同趋化之和作为其权重。仿真实验表明，隔离容量为1%～10%时，优先隔离借助全局信息识别出的高权重节点可使90%以上节点免受感染，优先隔离借助局域信息识别出的高权重节点可使70%以上节点免受感染，从而达到抑制疾病传播的目的。

发表于：2021/6/10 下午4:00:02