安森美半导体推出业界最低电容的瞬态电压抑制器
三款新器件为高速数据线路提供低钳位电压、最佳信号完整性的ESD保护
2011-09-20
作者:安森美半导体
2011年9月20日 – 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出最新的高速数据线路用瞬态电压抑制器(TVS)。这三款新器件——ESD7008、MG2040及ESD7104为高速数据及视频线路,以业界最低电容、最高信号完整性及低钳位电压提供静电放电(ESD)保护。
安森美半导体保护产品分部副总裁兼总经理Gary Straker说:“随着消费类及计算机产品采用带宽更高的新接口,低电容及低钳位电压是确保稳定操作的关键。这些新器件的性能不仅领先业界,且节省空间成本,并简化设计而减少工程设计挫折,为工程师提供了极佳的ESD保护方案选择。”
ESD7008的设计旨在保护达4个高速差分对(8条线路),提供业界领先的ESD保护能力,以节省空间的封装设计提供仅为0.12皮法(pF)的极低输入/输出(I/O)至地电容。这新元件以流越型(flow-through) UDFN18封装来组装,配合简单的印制电路板(PCB)布线及匹配的走线长度以维持高速线路阻抗的一致性。ESD7008提供领先业界的低电容确保超快接口能提供高信号完整性。它的新兴应用包括USB 3.0、V-by-One?及Thunderbolt (Light Peak),其中在USB 3.0应用中提供全集成方案,保护3个高速对及电源(Vcc)和识别(Iden)线路。ESD7008其它普及应用中也证明为极佳保护方案,包括HDMI?、DisplayPort及低压差分信令(LVDS)。
MG2040瞬态电压抑制器的设计专门提供完整功能的集成ESD保护方案,保护多达14条线路,涵盖HDMI及Display接口的所有工作引脚。典型值0.35 pF(I/O至GND)的超低电容、流越型封装设计及低ESD钳位电压使MG2040非常适合保护对电压敏感的高速数据线路。MG2040在以单器件替代须使用多颗元件的应用,因而节省成本及电容板空间,同时提升性能。
安森美半导体推出的第三款新瞬态电压抑制器是ESD7104。这器件采用极节省空间的UDFN10封装,配合简单布线及匹配的高速差分线路之间的走线长度,用于USB 3.0、HDMI、Esata 3.0及DisplayPort等应用。ESD7104为多达4条线路提供低电容ESD保护,提供典型值0.3 pF的典型I/O至GND电容。
安森美半导体这三款新的瞬态电压抑制器的工作结温范围为-55 ?C至+125 ?C。它们提供15千伏(kV)接触及空气放电保护,更胜IEC61000-4-2 (level 4)保护要求。这些器件每10,000片批量的单价在0.15美元至0.30美元。
关于安森美半导体
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件,帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战,既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn。
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