GaAs和InP技术支撑光纤模拟芯片市场高增长
2009-08-14
作者：来源：国际电子商情
StrategyAnalytics发布最新研究报告“光纤模拟芯片市场机会：2008-2013”。化合物半导体正在越来越多地被应用在更高价值、更高成长性的细分产品市场上。在不断增长的光纤模拟芯片市场，硅(Silicon)，硅化锗(SiGe)，砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)技术各有所长，将争夺化合物半导体市场份额。报告提供对光纤模拟芯片，包括跨阻抗放大器(TIAs-transimpedanceamplifiers)，激光驱动器(laserdrivers)和后置/限幅放大器(post/limitingamplifiers)的增长预测。
速度小于2.5Gbps的旧版网络目前仍主导市场份额，但是在预测期内将增长缓慢。受到市场对带宽需求不断增长的驱动，10Gbps网络将成为行业的事实标准，在2011-2013年期间，其复合年增长率将达到20%。随着市场不断推进向更高网速的发展，40Gbps网络也会出现强势增长。
StrategyAnalytics的GaAs和化合物半导体技术市场研究部主管AsifAnwar认为：“相比其它大多数通信市场，光纤抗市场风险的能力更强。这是因为市场对更多、更快的带宽需求似乎总不满足，而铺设光纤的资本支出也早已到位。StrategyAnalytics预期，基于砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)的激光驱动器和TIAs是推出更高速的10Gbps,40Gbps，乃至100Gbps网络的关键支持技术。”
光纤模拟芯片市场需求将受益于消费者和企业用户对“高带宽应用”使用的不断增长，这些应用包括：
--基于IP(InternetProtocol)的语音，视频和数据应用
--高带宽视频服务，如高清电视(HDTV)和视频点播(VOD)
--企业存储网络
--高成长的3G和4G无线标准的更高带宽回程