Multitest的UltraFlat(tm)工艺达到要求
2012-02-10
来源：Csia
IDM与Multitest公司日前宣布其UltraFlat(tm)工艺达到高测试并行度垂直探针卡应用要求。
对于DDR3内存等应用，晶圆级测试中的电路板平面度要求变得日益重要。为优化MLO/MLC附属装置和接触单元界面，需要一个更佳的表面。此外，更平整的印刷电路板要求探针接触的变形度更小，同时降低了接触磨损。
利用印刷电路板叠放工艺和印刷电路板结构的相关知识，Multitest推出符合上述要求的新型UltraFlat(tm)工艺。UltraFlat(tm)通过消除印刷电路板的翘曲/弯曲，保证相对苛刻的总平面度误差。与可提供临时平整印刷电路板的“平整-烘烤”工艺不同，Mutltitest的UltraFlat(tm)工艺为印刷电路板带来持久的整体平面度。通过UltraFlat(tm)，Multitest通常可以达到1.0%的翘曲/弯曲要求。
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