GLOBALFOUNDRIES和ARM 今天宣布已签订了一份多年期协议，旨在为采用GLOBALFOUNDRIE 20纳米与FinFET工艺的ARM 处理器设计提供优化的系统级芯片(SoC) 解决方案。该协议将进一步拓展双方长期合作关系，并将合作领域扩展到在移动设备中重要性逐渐提高的图像处理器元件。作为协议的一部分，ARM 将开发一个包括标准单元、逻辑电路、内存编译器和处理器优化包(POP™) IP 解决方案在内的ARM® Artisan® 物理IP 的完整平台。此次合作将有助于将包括智能手机、平板电脑和超薄笔记本在内的一系列移动应用的系统性能和电源效率提升到一个新的水平。

在共同优化ARM® Cortex™-A 系列处理器方面，ARM和GLOBALFOUNDRIES已经积累了多年合作经验。其中不仅包括28纳米工艺上已经在性能与功效方面所展现的多项优势，也包括美国纽约州马尔他镇的晶圆厂中正在生产的20 纳米测试芯片。通过推动制造IP平台的创新，新的协议进一步延续了此前的合作，从而令客户能够在20纳米工艺平台上进行设计，有助于客户迅速转移至三维FinFET 晶体管技术。对于ARM 下一代移动CPU 和GPU的用户而言，这项共同开发则可加快SoC解决方案的上市时间。

GLOBALFOUNDRIES将为下一代高能效ARM Cortex™ 处理器和Mali™ GPU 技术开发优化实施和基准分析，加快客户使用相应技术进行SoC设计的速度。GLOBALFOUNDRIES 20纳米LPM、FinFET制成、POP IP 封装的ARM Artisan实体IP完整平台为SoC设计者提供一个基本建造架构。该平台基于现有的Artisan 物理IP 平台，适用于GLOBALFOUNDRIES的多个工艺，包括65 纳米、55 纳米、28 纳米、以及目前可供授权的28 纳米SLP Cortex-A9 POP技术。

ARM 执行副总裁兼处理器及物理IP 部门总经理Simon Segars 表示：“这次的初步合作促进了ARM 和GLOBALFOUNDRIES的技术在针对未来多个重要市场的SoC中的快速采用。同时，为手机、平板电脑和计算应用提供设计服务的客户也将由于此次合作中的高能效ARM 处理器和图形处理器而获益匪浅。通过在下一代20纳米LPM与FinFET工艺方面的积极合作，我们能够确保为双方的共同客户提供一系列的实施选项，将先进半导体装置的发展往前推进两个世代。”

ARM POP 技术提供市场领先的性能、功耗和面积，加快了ARM Cortex-A 系列CPU 的内核强化。POP IP 封装由三部分组成，它们是ARM内核优化实施的关键。首先，它涵盖了Artisan 物理IP 标准单元、逻辑电路以及专门针对特定ARM 处理器和晶圆厂技术进行调整的内存缓存实例。其次，还同时提供全面的基准测试报告，用于记录ARM 在涵盖了一系列配置和设计目标的内核实施中所需要的精确条件和最终结果。最后，该封装还包括了平面布局、脚本、设计工具和POP 实施指南在内的实施细则，具体说明了可供最终客户以极低的风险快速实现相似结果的实施方法。

GLOBALFOUNDRIES 的20 纳米LPM 技术是一个全面的经济高效型平台，可提供最高40% 的性能提升和两倍于28 纳米芯片的门密度。由于20 纳米LPM技术可以实现一系列晶体管功能，它将用于满足大容量细分市场中大范围的功耗和性能点。通过将晶体管和金属间距完全按比例缩小，所得到的20 纳米LPM 器件将在成本和面积方面具有很大的竞争优势，符合下一代设备的需求。

此次合作还拓展到了GLOBALFOUNDRIES基于FinFET 的工艺。通过早期的预先准备，双方将共同优化物理IP 和工艺，以确保从20 纳米LPM 的快速迁移。因此，此次合作将以前所未有的速度和更低的风险提供一系列实施方案。

GLOBALFOUNDRIES全球销售与市场的高级副总裁Mike Noonen表示：“ARM技术已整合至全球许多产量最高的产品之中。相信在今后数年内，对于GLOBALFOUNDRIES客户来说，其重要性都只会不断提高。藉由我们的实施知识并将其应用于下一代高能效ARM 处理器和图形处理器，我们相信双方可以携手为彼此的共同客户提供显著的差异化优势，继续引领下下两代产品的创新。”

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