先期推出的900V和950V两款 SuperMESH™ 5 功率MOSFET

分别创下业内最高能效和最高额定电压新记录，提升应用可靠性

中国，2012年9月12日—— 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶体管，助力技术型企业满足日益严格的生态设计标准对功率和能效的要求，瞄准太阳能微逆变器、光伏模块串逆变器和电动汽车等绿色能源应用。

新产品包括业内首个可承受950V峰值电压的超结晶体管(MOSFET)、同类产品中能效最高的900V晶体管和全球上唯一采用节省空间的PowerFLAT 8x8 HV超薄封装的850V器件。超结技术可提高MOSFET管的工作电压，降低导通电阻-芯片尺寸比，使电源产品在缩减封装总体尺寸的同时提高系统可靠性和能效。

意法半导体是超结MOSFET（super-junction MOSFETs）的主要供应商，现在开始提供目前市场上额定电压最高的解决方案，同时还是目前仅有的两家900V超结晶体管供应商之一。此外，该系列产品不久后将增加800V器件。

超结技术让世界更环保

在展示SuperMESH 5器件的高能效的同时，意法半导体还公布了首个成功应用超高压MOSFET的客户设计的细节。意大利固态照明创新企业TCI (www.tcisaronno.net)在其最新的LED驱动器设计中选用LEDIPAK封装的950V STU6N95K5做主电源，为设计先进且功能丰富的LED照明灯供电，使其成为高成本效益的小型LED照明市场的能效标杆。意法半导体功率晶体管产品部市场总监Maurizio Giudice表示：“意法半导体最新的SuperMESH 5技术让TCI创立了市场上最高的能效和安全系数，为客户提供极具吸引力的价值主张。”

意法半导体新的超结MOSFET的其它主要应用包括平板电视、PC电源、LED照明驱动器和高压气体放电灯(HID)电子镇流器。MOSFET将让设计人员能够达到美国能源之星（Energy Star）和欧盟能源相关产品(Energy-related Products，ErP)指令等生态设计标准中日益严格的功率上限和能源下限要求。

例如，最新的能源之星电视机能效规范（5.3版）提出了更严格的生态设计规定，要求50英寸以及以上的平板电视的最大绝对功率为108.0瓦。另一个生态设计标准日益严格的例子是，ErP的照明指令提高了2012年至2017年期间制造的各类HID灯的能效下限标准。

意法半导体的新超结MOSFET耐高压特性可提高系统安全性和可靠性。对于HID灯镇流器和其它的以电网或更高电压为电源的电力应用系统，例如太阳能微逆变器和电动汽车充电桩，耐高压是一个重要优点。为最大限度减少电动汽车的充电时间和运行成本，充电桩需要极高的功率转换效率。在微型发电机逆变器内，高能效的MOSFET让设计人员能够使用更高的开关频率，输出高质量的交流电能，同时降低能耗和解决方案尺寸。

SuperMESH™ 5 MOSFET的主要特性：

新推出的MOSFET晶体管是首批采用意法半导体的SuperMESH™ 5第五代超结技术的产品。新产品包括采用各种封装的900V STx21N90K5、950V STx20N95K5和950V STx6N95K5。STL23N85K5 850V采用PowerFLAT 8x8 HV高压表面贴装封装，占位面积为64mm², 比工业标准的D²PAK封装小56%。此外，这款产品的安装高度为1mm，比工业标准的D²PAK封装低77%，适用于超薄型应用设计。

900V STP21N90K5的灵敏值(Figure of Merit，FOM)反映了该产品接通电源以及导通和关断时的总体能效，比市场上唯一可比产品低62.5%。如果不使用其它品牌而选用STP21N90K5，设计人员即可大幅提高能效。

新的SuperMESH 5产品已开始提供样片并接受生产订单，详情请查询www.st.com/pmos。