GT Advanced Technologies（纳斯达克：GTAT）今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅（SiC）生产炉。SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品质的半导体SiC晶体块，可最终制成最大直径为100毫米的芯片。 在其初步阶段，SiClone100主要针对本身已经拥有热场、合格的晶体块生产配方及正准备开始量产的客户。 

    GT的总裁兼首席执行官Tom Gutierrez表示：“GT新推出的SiClone100炉将解决电力电子行业对更高品质SiC材料的需求，这些材料将用于生产先进的高功率及高频设备。SiClone100为我们的SiC产品蓝图奠定坚实基础，根据蓝图我们预计在未来向客户提供可生产八英寸SiC芯片的完整生产环境，包括配方、热场及耗材。” 

    GT利用其在晶体生长技术领域深入的专业知识，为正在寻求“从实验室向工厂转化”的客户提供高度可靠及经验证的平台，帮助客户开始量产SiC晶体块。SiClone100炉装备有最先进的控制系统，通过将炉电子与人机界面（HMI）相结合，实现生长过程的自动化。SiClone100采用底部灌装设计，从而令热场灌装变得简单。 控制系统为用户带来更大的灵活性，用户可根据需要制定过程配方及控制生产参数，例如温度、剖面、斜度及气流，从而改善持续运行的控制重复性，最终降低制造成本。GT的现场工程师及支援团队将帮助客户快速启动量产。 

    本公司继续预计SiC炉的销售情况将仅占其2013历年收入的1%以下，并预计2014年及之后的SiC炉收入情况将会逐步好转，原因是新电力设备有关的设计周期较长。 

关于GT Advanced Technologies Inc.

GT Advanced Technologies Inc.是一家多元化科技公司，为全球太阳能、LED及电子行业提供创新的晶体生长设备及解决方案。我们的产品促进了提高性能、降低生产成本的新兴先进材料的推广应用。有关GT Advanced Technologies的更多信息，请浏览www.gtat.com。

前瞻性声明

本新闻稿的若干信息涉及本公司对其业务及行业作出的未来预期、规划与展望，构成1995年《私人证券诉讼改革法案》“安全港”条文下的“前瞻性声明”，此等信息包括但不限于： 本公司成功向客户推广及销售SiClone100炉的能力；本公司成功开发可生产更大SiC芯片的新型SiC炉的能力；SiC炉销售额在2013年收入中所占比例的可能性；及SiC炉销售额在2014年及之后将会出现上升的可能性。该等前瞻性声明并非业绩保证，且受大量不明朗因素及其他因素的影响，其中许多因素超出本公司控制范围，可能导致实际事件与本声明的表述或暗示存在重大差异。 

    可能导致实际事件与本声明的表述或暗示存在重大差异的其他因素包括整体经济环境及持续紧缩的信贷市场对本公司产品需求产生的不利影响、技术变动可能致使现有产品或技术过时、本公司可能无法保护其知识产权、来自其他制造商的竞争可能加剧、汇率波动及信贷市场及经济环境可能降低市场对公司产品需求以及GT Advanced Technologies Inc.提交证券交易委员会文件中所概述的众多其他风险，包括本公司截至2013年3月30日止三个月期间Form 10-Q中的季度报告“风险因素”一节的陈述。本新闻稿的声明须根据这些重要因素进行评估。本新闻稿中的声明代表GT Advanced Technologies Inc.于本新闻稿刊发日期的期望与信念。GT Advanced Technologies Inc.预计后续事件及发展可能会导致该等期望与信念发生改变。GT Advanced Technologies Inc.并无责任更新或修改其前瞻性声明，且明确表示不承担任何该等责任，无论有关更新或修改是由于新资料、未来事件或其他原因所导致。