德州仪器(TI) 宣布推出14 款采用TO-220 及SON 封装的功率MOSFET，其支持40V 至100V 输入电压，进一步壮大了TI 普及型NexFET 产品阵营。高效率NexFET 包括40V、60V、80V 以及100V N 通道器件，可为广泛大电流电机控制及电源应用提供优异的散热性能。如欲订购样片或查看全部产品列表，敬请访问：www.ti.com.cn/mvnexfet-pr-cn

最低导通电阻

     两款最新80V 及100V NexFET 器件可在不影响高栅极电荷的情况下，通过TO-220 封装实现业界最低导通电阻，从而可在更大电流下为设计人员提供更高的电源转换效率。CSD19506 可在高达80V 的输入电压下支持2.0 毫欧姆的导通电阻，而CSD19536 则可在100V 输入电压下支持2.3 毫欧姆的导通电阻。这两款产品都采用支持高雪崩性能的塑料封装，支持高应力电机控制应用。此外，设计人员还可通过访问TI 获奖的WEBENCH® 在线设计工具便捷选择最新产品，模拟电源设计。

简单易用的评估板

    TI 还基于60V NexFET 产品推出了几款简单易用的评估板，都可通过TI eStore™ 订购：

·        步进电机前置驱动器：DRV8711EVM评估板基于 DRV8711 步进电机控制器，与 NexFET 器件搭配，可驱动一个大电流双极步进电机或两个有刷 DC 电机；

·        电机驱动BoosterPack：BOOSTXL-DRV8301套件是基于 DRV8301 前置驱动器的 10A 三相位无刷 DC 驱动级，适用于学习无传感器无刷控制技术以及驱动级设计的人员；

·        数字电源：UCD3138PSFBEVM-027 可帮助电源开发人员设计数控移相离线 12V、360W 电源转换器应用；

·        负载点控制：TPS40170EVM-597评估板支持 TI 具有2 个NexFET 器件的 TPS40170 同步降压控制器。

关于NexFET 功率MOSFET

   TI NexFET 功率MOSFET 技术可提升高功率计算、网络、工业以及电源的能源效率。这些高频率、高效率模拟功率MOSFET 可为系统设计人员提供现已上市的最高级DC/DC 电源转换解决方案。

供货情况

    CSD19506KCS 与CSD19536KCSN 通道器件现已开始批量供货，可通过TI 及其授权分销商全球网络进行订购。每款产品都采用3 引脚标准TO-220 封装。此外，TI 还提供采用无引线5 毫米× 6 毫米SON 封装的40V、60V、80V 以及100V FET。

了解有关TI NexFET 与电机控制解决方案的更多详情：

·        80V 及100V NexFET 解决方案的视频概览；

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