2010年第1季全球NAND Flash产业市占率中，仍以三星电子(Samsung Electronics)位居龙头，根据集邦统计，三星的市占率高达39.2%，东芝(Toshiba)以34.4%市占率紧追在后，第1季位元成长率较上季增加15%，但平均单价(ASP)小跌5%，全球NAND Flash产业的产值规模约43.63亿美元，较上季39.1亿元成长11.6%。

    NAND Flash产业2009年率先落底反弹，但2010年表现空间不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile RAM等存储器都供给吃紧且价格喊涨之际，NAND Flash价格反而持续呈现缓跌，第2季仍是传统淡季，因此终端需求持续疲弱中。

    存储器业者认为，第1季NAND Flash需求虽然清淡，但因为NAND Flash大厂没有太大压力，加上力守获利水平，因此价格跌幅有限，预计要到第3季传统淡季来临，消费性电子产品开始展开备货动作后，NAND Flash价格才有反弹机会。

    再者，2011年各厂许多新产能要开出，以及30奈米制程微缩的产品陆续出笼，也是影响NAND Flash产业供需的关键。

    集邦统计指出，全球2010年第1季NAND Flash市场中，三星市占率高达39.2%，东芝以34.4%市占率紧追在后，接著是美光(Micron)9.1%、海力士(Hynix)占7.9%、英特尔(Intel)占6.4%。

    其中，三星第1季NAND Flash芯片的位元成长率持续增加，且手机客户的订单也持续回笼，因此第1季营收成长14.2%，达17.1亿美元；而东芝的位元成长率也是正向成长，第1季营收成长18.5%，达15.1亿美元。

    再者，美光的市占率持续领先海力士，第1季位元出货量也是小幅增加，营收约3.97亿美元，海力士和英特尔的位元成长率则约莫持平，营收贡献分别为3.45亿美元和2.8亿美元。