近日，存储芯片大厂铠侠（Kioxia）与Sandisk宣布，它们的第十代产品BiCS10（第10代BiCS）3D NAND Flash在日本岩手县北上工厂的Fab2（K2）生产线正式投产。该产品主要面向数据中心等企业级储存应用，兼顾高密度与高性能，储存密度方面更有望超越三星最新的V10世代400层3D NAND。

据介绍，面向数据中心应用的BiCS10采用332层堆叠，存储密度超过29 Gb/mm²、提升59%，性能比前代提升约33%，数据传输速度达4,800 MT/s，可支持采用PCIe 5.0与PCIe 6.0接口。

铠侠表示，新产品可将读取延迟降低约4微秒（约降低10%）、读取能耗也降低了约25%，由每GB约100 mJ降至75 mJ。这些改善来自全新设计的读取机制，改变连续读取时未被提取字线（Word Line）的运作方式。

针对消费类市场，铠侠与Sandisk则计划继续提供BiCS9 NAND Flash，BiCS10是否用于高性能消费性SSD，仍将取决于市场供需情况。

铠侠与Sandisk将分别在不同工厂生产BiCS9与BiCS10。在日本岩手县北上市的最新Fab 2晶圆厂负责生产旗舰级332层BiCS10；位于三重县四日市生产基地，则持续负责218层BiCS9的量产。

铠侠Fab 2工厂配备最先进的制造设备，更适合生产最高密度的BiCS10；至于技术成熟的四日市工厂，则更适合量产面向消费市场的BiCS9。此外，四日市厂大部分设备已完成折旧，可用较低成本生产主流NAND，并将最新产能保留给Fab 2，以生产最先进NAND Flash产品。