盛美无应力抛光技术克服Cu/low-k互联结构平坦化技术瓶颈
2015-03-19
随着半导体集成电路产业的飞速发展,为了克服随着技术节点减小带来的阻容迟滞(RC Delay),铜低k / 超低k 介质互连结构被引入半导体工业中。因为低k / 超低k 介质材料脆弱的机械性能,阻碍其被广泛应用于半导体器件量产中。
“盛美最新开发的无应力抛光(the Ultra SFP)设备,能够对于28nm至40nm及以下节点铜低k/超低k互联结构进行无应力,无损伤的抛光。”盛美半导体设备公司的创始人、首席执行官王晖博士说,“该设备整合了无应力抛光工艺(SFP),热气相蚀刻工艺 (TFE);并且可以和现有生产线所使用的传统化学机械研磨工艺(CMP)无缝衔接,在下一代工艺技术节点应用中,无需对现有 CMP 设备进行升级改造;利用其各自独特的工艺优点,确保整个工艺对铜互连结构无任何损伤。”
无应力抛光设备应用于铜低k / 超低k 互连结构有诸多优点:其一,依靠抛光自动停止原理,平坦化工艺后凹陷更均匀及精确可控;其二,工艺简单,采用环保的可以循环实用的电化学抛光液,没有抛光垫,研磨液等,耗材成本降低50%以上;对互联结构中金属层和介质层无划伤及机械损伤;其三,可以将工艺扩展至新型材料钴(Co)和钌(Ru)作为阻挡层的铜低k / 超低k 互联结构中。
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