今年是氮化镓发展非常重要一年
2016-02-03
作者:杨庆广
来源:电子技术应用
富士通电子元器件市场部高级经理蔡振宇
在整个功率器件发展的过程中,大家可以看到1970年有第一个可控硅出来,随着时间和技术的推移,功率密度要求变得逐渐提升,后面是二级晶体管,慢慢到上世纪90年代末出现了IGBT。2000年的时候业界就提出硅基产品快达到物理极限。未来如何让开关频率进一步提高?现在市场上有两个新材料,一个是氮化镓,还有一个是碳化硅,都可以满足这一要求。
氮化镓和碳化硅最大特点是开关频率可以很高,材质比较适合高压的应用。碳化硅和氮化镓两个材质各有各的特点,氮化镓的电子流动性会比较高,开关性特别好。碳化硅的高压性能会比较好一些。
主流氮化镓产品对比
我们的氮化镓产品,从性能上说具备许多优势。从应用角度来看,主要有以下几种主流应用。第一个应用是太阳能逆变,这个应用相对比较普遍。产品体积可以比较小,能量密度很高。其次是服务器电源的特有应用,可以达到最高 99%的效率,体积也更小。
目前氮化镓整体产业发展已经步入到了新的阶段。第一代氮化镓已经达到硅基甚至比硅基有更好的物理性能。下一代的产品会做更低成本、更好的性能。现在已经有越来越多的典型应用采用氮化镓功率产品。今年是氮化镓非常重要的一年。
当然,由于是新技术,整体成本还是相对比较高的。这个产品刚推出的时候大概是硅基产品3倍的价格,到2014年大概是2倍的范围。2015年随着用量和生产制程的改进,价格是1.5倍-1.6倍。2016年我们预计随着量产,价格会慢慢降低,可以做到1.2倍-1.3倍的价格。这有利于氮化镓产品的大规模推广。
前面谈到一个材质叫碳化硅,它的衬底都是碳化硅做的,碳化硅很硬,要钻石刀才能切割。从未来成本的角度看,氮化镓会比碳化硅更便宜。
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