在过去Cortex-A57核心当道的年代，手机散热无法满足SoC要求，导致CPU降频，从而影响用户体验令人烦恼。所以当高通表示骁龙652/650采用28HPm工艺时，不少人担忧28nm工艺与最新的Cortex-A72架构结合起来表现如何。毕竟20nm都招架不住Cortex-A57，28nm遇上Cortex-A72会怎么样？可在骁龙652遇上16nm工艺、Cortex-72核心的处理器时，骁龙652上演了一场意想不到的逆袭。

　　Cortex-A72：频率1.8GHz

　　Cortex-A72是目前应用到手机SoC中性能最高的ARM Cortex A核心，也是三星、MTK、华为旗舰SoC所选用的核心，因此即使骁龙652/650的Cortex-A72最高频率为1.8GHz，性能仍有所保证。大家对于骁龙652/650采用28nm工艺而略表担忧，其它品牌即使不是采用最新14/16nm FinFET工艺，再不济也是20nm SoC工艺。骁龙652/650功耗问题是否能表现过关？

　　根据ARM官方信息，放心在Cortex-A72上使用28nm工艺吧。下图来自ARM官方信息图片， ARM在设计之初已把28nm工艺作为Cortex-A72标准工艺，在28nm工艺下其最高运行频率可达到2.0 GHz，此时比同样采用28nm工艺的Cortex-A15（@1.6GHz）功耗还要低50%，也比20nm工艺的Cortex-A57（@2.0 GHz）也要低20%左右。在骁龙652/650上高通选择了1.8GHz最高频率，从而令核心功耗更加可控。

　　此外骁龙652/650搭载4个Cortex-A53负责低负载任务，并集成Hexagon DSP低功率岛设计，专门负责语音、图像等任务。三者相辅相成保证整个SoC能以最高效率执行任务，从而减少功耗。

　　实测如何？

　　从理论上说，大家大可不必为骁龙652/650的功耗担忧，实际表现如何呢？下面我们使用vivo Xplay5与华为荣耀V8进行对比，前者采用骁龙652处理器，拥有4个Cortex-A72核心与4个Cortex-A53，后者采用麒麟955处理器，由16FinFET工艺制成，核心配置与骁龙652一样，但其Cortex-A72核心最高频率为2.5GHz。

　　首先是连续运行10轮3DMark Ice Storm Extreme ES3.1测试，此测试主要依赖CPU、GPU与内存性能，模拟运行大型3D游戏时智能手机的负载。在测试进行时，记录下手机背面最高温度与得分，环境温度为26℃，测试开始时手机背面最高温度约为31℃。

　　在第一轮测试开始时，Xplay5与荣耀V8表现非常相似，前者得分为891、后者875，机背温度一致；随着测试深入，两款手机表现大相径庭，Xplay5得分一直维持在890分左右，温度缓慢提高，最高温度在37.0℃止步。荣耀V8得分整体呈走低趋势同时出现反复现象，在第4、5、10轮测试得分仅有590分左右，成绩下跌超过3成，机身背面最高温度为37.4℃。

　　（第7轮3DMark测试，左Xpaly5，右荣耀V8）

　　不得不说，二者表现完全出乎意料之外，麒麟高制程16nm处理器在长时间高负载测试中却难敌28nm处理器，为何会出现这种状况呢？上图是3DMark监视器数据截图，提供了CPU在整个测试过程中的频率变化情况，从图中可见Xplay5 CPU最高频率依然维持在1.8GHz，而荣耀V8 CPU的主频却因为负载过高而降低到接近1.6GHz水平，远低于2.5GHz，难免得分降低。

　　当28nm遇上Cortex-A72 骁龙652/650功耗表现是否过关？ 当28nm遇上Cortex-A72 骁龙652/650功耗表现是否过关？

　　（第10轮3DMark测试，左Xpaly5，右荣耀V8）

　　到了第10轮测试中，Xplay5 CPU频率曲线与第7轮相似，荣耀V8 CPU最高频率保持不变，但测试全程中CPU平均频率比第7轮要低，因此得分进一步下降。再考虑到荣耀V8的温度变化情况，可以得出一个结论，采用16nm FinFET麒麟955功耗实测情况不佳，在长期高负载运行下，荣耀V8为了保证处理器温度控制在一定水平，会降低CPU频率，牺牲性能而换取发热控制。

　　骁龙652连续运行3DMark性能不减可谓表现出色。不过现实的使用场景更为复杂，许多用户为保证长时间游戏，一边充电一边使用手机。在这种情况下，骁龙652 表现又会如何，在上述测试完成后将Xplay5与荣耀V8接入Anker 6口60W充电器，再运行3轮3DMark测试：

　　充电时一部分电量会转化为热量，在快速充电时同一时间下涌进手机的电量更多，造成手机发热情况更明显。从数值上看，此轮测试中Xplay5与荣耀V8背面最高温度维持在37℃左右，可用手触摸会感到荣耀V8是整个机身在发热，Xplay5高温区集中在机身上部。高温区域扩大最直接反应是两款手机成绩均有下降，Xplay5降低了约8%（跟最初得分比较），荣耀V8则更是暴跌了38%。在这种极端情况下，骁龙652的表现依然远远优胜于麒麟955。

　　也许有人认为3DMark测试属于理论测试，并不能反应骁龙652和麒麟955在连续运行高负载任务，如3D大型游戏和驾车导航下的真实表现。现在我们将测试进行下去，让骁龙652和麒麟955在《真实赛车3》的赛道上“跑”一圈。

　　上面是一段Xplay5、荣耀V8在进行3DMark + 快充后运行《真实赛车3》的视频实拍，其中从3DMark切换到比赛开始前的片段进行快镜头处理。经受了3DMark + 快充折磨下，Xplay5表现如常，游戏画面非常流畅。而荣耀V8画面不时出现卡顿和掉帧状况，影响了玩家判断及操作，比较突出是在1分23秒前后——当屏幕下方弹出新提示，画面突然停顿了，这是CPU降频后性能不足所造成的。在《真实赛车3》的赛道上的表现，再次印证了前文的结论。

　　结语：审慎的成功

　　先进的工艺却带来了落后的结果，可以说明制程和工艺是部分原因，但厂商的优化及技术的积累更为重要。在长时间高负载测试环境下，28HPm工艺的骁龙652性能远超16nm FinFET的麒麟955，即使在3DMark + 快充的极端使用情况下，前者仅损失8%性能，而后者却损失高达38%。有了优秀的设计以及选择恰当频率，Cortex-A72核心在28nm依然能在长时间高负载的环境中拥有出色的表现，这是高通实力的证明，同时也是严谨态度的成功。