台积电7纳米晶圆制程进度飞快，继先前传出要在2018年第1季放量生产7纳米芯片、比英特尔(Intel Corp.)足足快三年之后，最新消息显示，台积电内部预估，7纳米最快明(2017)年4月就可开始接受客户下单。

　 　25日报道，台积电研发单位已在内部会议中，揭露未来几年的最新研发蓝图，根据几名资深高层的说法，该公司今年底就会转换至10纳米，7纳米则会在明年 试产、估计明年4月就可接单，而16纳米FinFET compact制程(FFC，比16FF+更精密)也将在今年导入。7纳米制程可大幅提升省电效能(时脉约3.8Ghz、核心电压(vcore)达 1V)，临界电压(threshold voltage)最低可达0.4V，适用温度约为150度。

　　报道称，跟16FF+相较，10纳 米FinFET制程可让芯片尺寸缩小50%、运算效能拉高50%、耗电量降低40%。相较之下，7纳米(采的应该是FinFET制程)的运算效能只能拉高 15%、耗电量降低35%，电晶体密度增加163%，改善幅度远不如10纳米。这是因为，台积电的10纳米FinFET制程大约等同英特尔的14纳米，7 纳米制程则大致跟英特尔的10纳米相当、甚至较逊。

　　超微(AMD)早已暗示会从16纳米制程直接跳至7纳米，但晶圆代工合作伙伴格罗方 德(GlobalFoundries)的7纳米却要等到2018年才会试产，比台积电晚了近一年之久。超微早已修改了协议，合作伙伴不再仅限于格罗方德， 假如台积电的制程远优，那么超微完全有可能倒戈投向台积电的怀抱。

　　Fudzilla甫于9月9日报道，台积电高层在本周的SEMICON Taiwan国际半导体展表示，7纳米制程有望在2018年Q1放量生产。台积电从2014年初开始投入7纳米制程研究，预定2017年上半进入风险生产(Risk Production)，再过一年后量产，搭载7纳米芯片的消费产品应可同时上市。

　　台积电在SEMICON展前记者会表示，该公司的7纳米芯片效能应会优于同业，相信未来四年成长将来自智能机、高性能计算(HPC)、物联网、汽车产业。四月份台积电表示，有20名顾客对7纳米制程感兴趣，预料明年有15位客户会设计定案(tape-out)。

　　外媒从英特尔的征才启示抽丝剥茧，发现似乎暗示7纳米量产时间延至2021年，追不上台积电的2018年，慢到连车尾灯都看不到。

　　The Motley Fool先前报道，英特尔在印度班加罗尔寻找处理器设计工程师，原本内容写明，负责研发预定2020年问世的处理器核心和图形卡，使用英特尔前瞻的7纳米制程。不过近来英特尔修改征人告示，时间从2020年改为2022年。