三星欲扩大在华闪存芯片产能
2017-08-31
近日消息，三星电子称预计未来三年将投资70亿美元，扩大其在中国西安工厂的NAND闪存芯片(晶片)生产。
据路透社报道，该公司在一份监管文件中称，28日已批准70亿美元预期投资中的23亿美元支出。
报道称，三星电子7月初曾宣布一项在韩国的186亿美元投资，当时就表示将于西安的NAND芯片工厂新增一条生产线，但当时并未设定投资总额。
对于这项获得批准或经过计划的投资所能增添的产能总量，三星电子一名发言人未做评论。
研究顾问机构IHS最新数据显示，三星电子今年4至6月NAND闪存芯片营收，占全球比率达38.3%。
三星电子人员展示本公司生产的NAND闪存芯片
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