MOS管（MOSFET）的压降

       是指MOSFET饱和导通的时候，VDS=I*RDS(on)的电压。VDS表示场效应管的漏极和源极的电压，G表示栅极，I表示流过DS的电流，RDS(on)表示导通电阻，一般为几百毫欧。

       MOSFET的管压降，一般指的是静态压降。只要知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来压降是多少了。

三极管管压降 

       三极管的管压降Uce就是指集电极与发射极的电压。一般情况下，CE极电压在0.3或者0.3V以下时，三极管进入饱和区的工作状态，集电极电流不随着基集电流增加而增加了，也叫饱和电压。

       正常三极管管压降为0.1-0.7V。 由于管压降Uce与集电极电流ic具有非线性的函数关系，Uce的大小随着Ice的增大，在一定的范围内增大。

通过Ic与Uce（饱和压降）的曲线图，就可以清晰的知道Uce的大小了。

对比应用

       通过初步计算，在流过相同的电流（小于100MA）的情况下，场效应管的管压降要比三极管的管压降略低。一般小于0.1V。随着电流增大，三极管管压降最大达到0.7V左右。

       下图为三极管的管压降示例图，一般在DATASHEET中都有给出。

       对于场效应管（MOSFET），VDS取决于电流和导通电阻RDS(on)。导通电阻一般变化不大，但是与VGS有关，VGS大导通程度也大，导通电阻就小。

如果RDS(on)=250MΩ，流过电流为100MA，管压降VDS=0.025V。图一为0.05V，图二为0.03V。

       因此，可以看出，在实际开关应用中，如果要使被控的电压的压降尽量小，MOSFET比三极管有略微的优势。