力晶科技成功转型晶圆代工厂，5年来共赚进新台币485亿元，平均一年赚97亿元。

　　力晶过去主要生产动态随机存取记忆体(DRAM)，在经历2007年与2011年DRAM产业2次景气寒冬，力晶因财务危机，面临股票下柜窘境。

　　为求转机，力晶转型晶圆代工厂，除为记忆体模组厂金士顿与记忆体设计厂晶豪科代工生产记忆体，在面板驱动IC、管理芯片及影像感测芯片代工领域也有不错成果。

　　力晶自2013年营运转亏为盈以来，已连续5年获利，去年归属母公司净利80.8亿元，每股纯益3.54元，为国内获利第2高的晶圆代工厂；力晶5年来共获利485亿元，平均一年赚97亿元。

　　力晶继去年恢复配发股利后，今年预计每股配发1.2元现金股息及0.5元股票股利。

　　随着与金士顿委托代工合约期满，力晶自金士顿买回设备，带动今年来业绩稳健成长，前2月营收87.42亿元，年增19.79%，法人预期，力晶今年营运应可更上层楼。

　　从DRAM厂到晶圆厂的转型

　　力晶于1994年十二月创立于新竹科学园区，早期专注于动态随机存取记忆体之生产，逐步扩及及晶圆代工及Flash生产，并以大陆终端客户为主要营收来源。公司自2010年9月14日起，减资暨更名为「力晶科技股份有限公司」，代码简称：5346力晶。2012年12月11日因净值转为负数，自柜买中心下柜，股票停止买卖。

　　公司在生产动态随机存取记忆体制程技术以三菱电机既有的技术为基础，与日本的DRAM大厂Elpida缔结策略联盟，共同研发尖端DRAM技术。公司也和Renesas等国际大厂合作，开发生产高容量快闪记忆体（Data Flash），以期成为国内最大之全方位记忆体公司。在逻辑代工制程技术方面，自日本三菱公司引进0.25微米／0.18微米／0.15微米逻辑代工制程技术，并建立相关制程的设计资料库及IP，以及开发Mixed-mode 、CIS等产品，以协助客户顺利量产新世代产品。代工业务主要为转投资的8吋厂巨晶电子。公司成立初始即锁定日本三菱为策略合作伙伴，不断引进日方技术提升制程能力，已成为国内最大动态随机存取记忆体厂商。

　　力晶2008年第二季将产能全数转换为70nm制程，65nm制程于第三季进入量产。

　　2009年获金士顿及力成金援1.25亿美元，以等值瑞晶股票作扺押，以解决财务缺口压力。

　　2009年主流制程为65 纳米制程，虽持续进行制程微缩，但在2010年，仍无法负担制程转换的成本，因此生产成本与竞争对手差距仍大。

　　2009年底净值约3元。

　　2011年4月，与Elpida达成的DRAM产销新协议，使公司的专利授权、技转费用降低，并无偿取得Mobile DRAM技术及销售权，结合自行开发的NAND快闪记忆体技术，将针对高速成长的行动应用（Mobile Applications）新市场，提供完整的记忆体产品组合。

　　力晶积极转型为晶圆代工厂，以及加重行动型记忆体、快闪记忆体及代工业务营收，降低标准DRAM。

　　截至2011年11月产品比重方面，晶圆代工占60%、DRAM占30%、Nand Flash占10%。晶圆代工领域包括LCD驱动IC、CMOS Sensor、类比IC、电源管理IC。

　　P3厂成为Flash与DRAM共同生产的12吋厂，月产能约11万片。自2012年1月1日起，NAND Flash的投片量将正式超越DRAM，且DRAM投片产能将永远性的降低至20%以下，约当2万片。

　　DRAM制程方面，2012年将全部由40纳米转换至30纳米，且均生产4G产品。

　　产能配置方面，至2012年1月晶圆代工每月投片量拉升至6万片，标准型DRAM投片约2万片，Nand Flash约6000千片。

　　2012年资本支出约20亿元至30亿元。

　　2013年四月，力晶P3厂约月产能2万片12吋厂设备及生产线由金士顿标下，并由力晶代工。

　　2014年6月，转投资LCD驱动IC厂瑞力被Synaptics并购，力晶出售所有持股后，预期获利约36亿元，且与Synaptics达成协议维持合作关系，Synaptics在整合LCD驱动IC及触控IC的单芯片，将交由力晶生产。

　　另外，公司规划每股净值回升至10以上，且还清银行负债后，再重新挂牌上。