2018年8月28日，武汉新芯集成电路制造有限公司召开二期扩产项目现场推进会在武汉召开。据悉武汉新芯二期扩产项目规划总投资17.8亿美元，紧抓物联网和5G运用的市场机遇，建设NOR FLASH（自主代码型）闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台，相当于再造一个武汉新芯。

目前，武汉新芯一期拥有1.2万片/月的NOR FLASH闪存和1.5万片/月的背照式图像传感器(BSI)的生产能力。按照10亿美元一万片的投资规模，武汉新芯二期的投资大约可扩产2万片产能。笔者预计刨去动力、气体等方面的投资，大约可扩产3万片产能。

根据规划，武汉新芯的NOR FLASH闪存能力每个月扩充8000片，从月产能1.2万片扩至月能2万片，微控制器新增每个月扩充5000片，计划用5年时间把武汉新芯建设成中国物联网芯片领导型企业。

至于，三维特种工艺，笔者认为是指3D TSV封装。因为武汉有新芯有背照式图像传感器(BSI)芯片的生产能力，本次扩充产能，将有望达3万片规模。为了迎合背照式图像传感器的扩产，3D TSV封装扩产也是势在必行。

武汉新芯成立于2006年，由湖北省、武汉市、东湖区三级政府集体决策投资107亿，建设中部地区第一条12英寸集成电路生产线，2008年建成投产。2016年，在武汉新芯基础上，紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北省科技投资集团共同出资组建长江存储科技有限责任公司，武汉新芯整体并入长江存储，成为长江存储全资子公司。

经过十年艰苦运营，2016年，武汉新芯成功扭亏为盈；2017年实现销售收入22亿元，营业利润0.7亿元，首次实现全年主营业务盈利，并荣获“2017年中国半导体制造十大企业”称号。

武汉市委副书记、代市长周先旺在推进会现场指出：集成电路是“国之重器”，是国家战略性、基础性和先导性产业，事关国家安全和国民经济的命脉。推进武汉新芯二期扩产项目建设，是落实习近平总书记视察湖北重要讲话精神的具体行动，是武汉服务国家战略和勇担国家使命的重大机遇，对武汉建设具有全球影响力的产业创新中心，促进经济高质量发展具有重要意义。周先旺强调，武汉市正以国家存储器基地等重大产业项目为龙头，着力构建“芯-屏-端-网”的全产业链，大力发展世界级光电子信息产业集群。他表示，武汉市将竭诚为武汉新芯做好服务，全力支持企业发展壮大。他强调，要深入贯彻落实习近平总书记视察湖北重要讲话精神，实施创新驱动发展战略，加快突破重大核心技术，加快打造“国之重器”，推动“中国芯武汉造”早日成为现实。

国家集成电路产业投资基金总裁丁文武在推进会的致辞中表示：“武汉新芯启动二期扩产项目，是顺应市场趋势和进一步做大做强的必由之路。未来，国家大基金将一如既往地支持长江存储和武汉新芯发展，希望武汉新芯团队再接再厉，继续发扬艰苦奋斗精神，把武汉新芯建设成为我国集成电路领域的一支重要力量。”

紫光集团董事长、长江存储董事长赵伟国、华芯投资管理有限责任公司副总裁任凯，紫光集团总裁张亚东、联席总裁刁石京，紫光存储董事长马道杰，紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事长高启全，长江存储首席执行官杨士宁，国家集成电路产业投资基金副总裁、长江存储监事会主席彭红兵，长江存储副董事长、武汉新芯董事长杨道虹，与武汉市相关部门，在汉部分高校，金融机构等参加会议。

目前，武汉光谷已经集聚了集成电路产业上下游企业120余家，培育了长江存储、武汉新芯等一批具有较强竞争力的企业，引进了新思科技、联发科等一批国际一流集成电路企业。随着产业链的不断完善，武汉集成电路产业发展生态正在加快形成。