据日本经济新闻报道，中国新兴半导体记忆体企业合肥长鑫计划从半导体制造设备厂商荷兰阿斯麦(ASML)引进最尖端设备。中国由于与美国的贸易战和高科技摩擦日趋激烈，越来越难以从美国引进技术。为了发展属于产业创新关键的半导体，将转向采购欧洲设备以寻找出路。

合肥长鑫首席执行官（CEO）朱一明将在近期访欧，与荷兰阿斯麦启动尖端设备的采购谈判。多位相关人士透露了这一消息。合肥长鑫由中国安徽省的合肥市政府出资。有观点认为这一行动体现了中国政府的意向。

中国国务院总理李克强10月19日出席了在布鲁塞尔举行的亚欧首脑会议。在主席声明中显示出欧洲和亚洲展开合作、对抗美国的贸易保护主义的姿态。

合肥长鑫力争采购的是被称为「极紫外线(EUV)光刻机」的最尖端生产设备。据称这是推动属于半导体性能提高关键的「微细化」的新一代技术，每台设备价格高达约1亿欧元。据称最大DRAM（随机记忆体）制造商韩国三星电子已经试验性引进。

欧洲对试图获取尖端技术的中国的警惕也在加强，这有可能成为采购的障碍。不过，阿斯麦对日本经济新闻（中文版：日经中文网）表示，「将平等对待客户」，提出了向中国企业销售没有问题这一看法。在行业内有猜测认为，中国半导体代工企业中芯国际集成电路制造（SMIC）也已经向阿斯麦订购了极紫外线光刻机。

延伸阅读：DRAM什么时候需要EUV光刻机？

因为合肥长鑫做的是DRAM，所以他定制EUV光刻机的消息，让笔者对DRAM什么时候需要光刻机倍感兴趣。因为美光在今年六月的时候曾表示，EUV 光刻技术并不是DRAM 制程中所必须的，而且未来几年内都都还不一定用得上。目前，美光在新一代制程技术上，正在由客户验证1Y 纳米制程的记忆体，而且未来还有1Z、1α 及1β 制程。

光指出，记忆体跟处理器等罗技IC 虽然都是半导体产品，生产制造过程有相似之处，不过制程技术并不相同。处理器的制程技术2018 年已经进入到了7 纳米的节点，但记忆体主流的还是20 纳米、18 纳米等技术。其中，18 纳米就属于16 到19 纳米之间的1X 纳米节点，后面的1Y 纳米则是14 到16 纳米之间，1Z 则大概是12 到14 纳米制程之间。再往下走，美光就提出的是1α 及1β 制程技术，而具体对应的制程技术是多少纳米就不明了。

就目前市场上来看，三星是第一家量产18 纳米技术记忆体的厂商，也就是第一个进入1X 纳米节点的记忆体公司，遥遥领先其他竞争对手。而美光方面，现在也开始向1X 纳米技术转进，下一代的1Y 纳米技术则已经进入客户验证阶段了，预计2018 年下半年问世。再下去的1Z 纳米技术节点目前正处于制程优化阶段，而1α 及1β 制程则是在不同研发阶段中。

对此，美光执行长Sanjay Mehrotra 日前在参加公开会议上表示，在EUV 光刻技术上，他认为EUV 光刻机在DRAM 芯片制造上不是必须的，未来可能到1α 及1β 制程技术时都还不见得会用到。不过，这样的看法似乎与半导体设备大厂艾司摩尔(ASML) 的看法有些不同。因为，艾司摩尔之前曾经表示，在记忆体生产技术上，进入1Y 纳米技术的节点时就需要考虑EUV 技术了。只是，这样的预测到目前实际上并没有发生，因为包括三星在内的三大DRAM 厂在内，目前都没有很快进入EUV 技术的打算。因此，即使未来记忆体的需求依旧强劲，但要以EUV 技术来加大能量，短期内仍然还不容易见到。