HBM2E堆叠了八个16Gb DRAM芯片，以实现16GB的封装容量，并确保3.2Gbps的稳定数据传输速度。全球先进存储器技术的领导者三星电子宣布，其第三代高带宽存储器2E（HBM2E）进入市场“ Flashbolt”。新型16 GB（GB）HBM2E特别适用于最大化高性能计算（HPC）系统，并帮助系统制造商及时改进其超级计算机，AI驱动的数据分析和最新的图形系统。

三星内存销售与市场营销执行副总裁Cheol Choi表示：“随着当今市场上性能最高的DRAM的推出，我们正在迈出关键的一步，以增强我们在快速增长的高端内存市场中作为领先创新者的作用。”电子产品。“随着我们巩固在全球存储器市场的优势，三星将继续履行其带来真正差异化解决方案的承诺。”

新型Flashbolt准备提供前一代8GB HBM2“ Aquabolt”容量的两倍，还可以显着提高性能和电源效率，从而显着改善下一代计算系统。通过在缓冲芯片顶部垂直堆叠八层10nm级（1y）16千兆位（Gb）DRAM裸片来实现16GB的容量。然后，该HBM2E封装以40,000多个“直通硅通孔”（TSV）微型凸块的精确排列进行互连，每个16Gb裸片均包含5,600多个此类微小孔。

三星的Flashbolt通过利用专有的优化电路设计进行信号传输，提供了每秒3.2吉比特（Gbps）的高度可靠的数据传输速度，同时每个堆栈提供410GB / s的内存带宽。三星的HBM2E还可以达到4.2Gbps的传输速度，这是迄今为止最大的测试数据速率，在某些将来的应用中，每个堆栈的带宽高达538GB / s。这将比Aquabolt的307GB /秒提高1.75倍。

三星预计将在今年上半年开始量产。该公司将继续提供其第二代Aquabolt产品阵容，同时扩展其第三代Flashbolt产品，并将在整个高端存储器市场加速向HBM解决方案的过渡时，进一步加强与下一代系统中生态系统合作伙伴的合作。