《电子技术应用》
您所在的位置:首页 > 模拟设计 > 新品快递 > Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%,且具备低导通电阻RDS(on)

Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%,且具备低导通电阻RDS(on)

采用易于使用的封装,适用于可穿戴设备和大批量应用
2020-04-23
来源:Nexperia

奈梅亨,2020年4月22日:半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia发布了一系列MOSFET产品,采用超小型DFN0606封装,适用于移动和便携式产品应用,包括可穿戴设备。这些器件还提供低导通电阻RDS(on),采用常用的0.35 mm间距,从而简化了PCB组装过程。

微信图片_20200423105500.png

PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装,占位面积仅为0.62 x 0.62 mm,与前一代DFN1006器件相比,节省了超过36%的空间。由于采用了先进工艺流程,这些新器件提供低导通电阻RDS(on),与竞争对手产品相比减小了60%以上,它们还具备优良的ESD性能,低至0.7 V的超低VGS电压阈值,这个参数对低驱动电压的便携式产品应用至关重要。

Nexperia产品经理Sandy Wang评论道:“新一代可穿戴设备不断突破消费电子技术的界限。智能手机、智能手表、健身跟踪器和其他创新技术的演进需要微型化MOSFET,用以提供领先的性能和效率,从而实现越来越多的复杂功能。Nexperia拥有很高产能和制造能力,能够进行扩产,以最大限度地满足市场需求。”

采用新型DFN0606封装的九款PMH器件现已上市。有关更多信息,包括产品规格和数据手册,请访问 https://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/dfn0606-mosfets-efficiency-in-the-smallest-packages.html

关于Nexperia

Nexperia,作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨,每年可交付900多亿件产品,产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面获得行业广泛认可,拥有先进的小尺寸封装技术,可有效节省功耗及空间。

凭借几十年来的专业经验,Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务,并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,拥有庞大的知识产权组合,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。

Nexperia:效率致胜。



本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306118;邮箱:aet@chinaaet.com。