奈梅亨，2020年5月27日：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia推出了一系列反向电压为120 V、150 V和200 V的新锗化硅(SiGe)整流器，兼具肖特基整流器的高效率与快速恢复二极管的热稳定性。

新款1-3 A SiGe整流器以汽车、通信基础设施和服务器市场为目标市场，尤其适合高温应用，例如，LED照明、发动机控制单元或燃油喷射。这些新推出的极低泄漏器件提供扩展的安全工作区域，在不超过175 °C的条件下不会发生热失控。同时，工程师也可以使用适用于高温设计的快速恢复二极管，优化设计以实现更高效率。SiGe整流器增大低正向电压(Vf)和低Qrr，使传导损耗降低10-20%。

PMEG SiGe设备(PMEGxGxELR/P)采用功率二极管行业标准的节省空间、高热效率的CFP3和CFP5封装。封装采用实心铜夹片，降低热阻，优化热传输至周围环境，使PCB更小、更紧凑。此外，使用SiGe技术，能够轻松实现肖特基和快速恢复二极管的引脚到引脚替换。

Nexperia产品经理Jan Fischer评论道：“使用Nexperia的创新型锗化硅技术，让工程师有更多选择来设计电源电路，最终构建引领市场的产品，这是之前从未有过的。SiGe是Nexperia功率二极管产品的完美补充，该产品采用夹片粘合FlatPower (CFP)封装，包括100多个肖特基整流器和快速恢复整流器。此外，我们还将继续扩展产品组合，始终为客户提供符合其应用的产品。”

第一批4款符合AEC-Q101标准的120V SiGe整流器目前已进入量产阶段。更有8款150V和200V的产品现可提供样片。如需了解SiGe整流器的更多信息（包括产品规格和数据手册），请访问www.nexperia.com/sige-rectifiers，或直接接洽您的Nexperia联系人。 

关于Nexperia

Nexperia，作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面获得行业广泛认可，拥有先进的小尺寸封装技术，可有效节省功耗及空间。

凭借几十年来的专业经验，Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，拥有庞大的知识产权组合，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。

Nexperia：效率致胜。