晶圆代工龙头台积电位于南科的3 纳米新厂于去年11 月底上梁，缔造另一个先进制程里程碑。设备供应链近日透露，台积电3 纳米新厂规划在今年7~8 月开厂，相关供应商须在今年中以前备妥机台、准备进机，供应链透露，3 纳米于试产阶段（2021 下半年）即有约一个月2 万至3 万片，量产首年平均月产能约5.5 万片，到了2023 年以后，将达到10.5 万片。

　　根据台积电先前表示，3 纳米预计2022 下半年量产，当年产能预估将超过60 万片12 吋晶圆。供应链透露，目前3 纳米准备离开RD 阶段、进入mini-line，一如往常，将由苹果抢下头香，台积电也火力全开大力支持。而AMD也有望随后跟上，且英特尔也有合作方案在进行。

　　供应链亦透露，3 纳米制程将依循7 纳米（7 纳米、7 纳米加强版、6 纳米）、5 纳米（5 纳米、5 纳米加强版、4 纳米）的「家族模式」，客户在同一制程节点可沿用既有设计基础架构，达到100% 的IP 兼容，可加速产品创新及上市速度。目前台积电也在规划2.5 纳米（或称3+）制程，推估2023下半年量产。

　　业界人士表示，3 纳米对台韩晶圆代工双雄来说是关键一役，两强战术大不相同。三星将直接采用GAA（环绕式闸极结构），而台积电3 纳米则选择沿用FINFET（鳍式场效应晶体管）架构，到了2 纳米才导入GAA技术为基础的MBCFET 架构，他认为，在既有架构上求突破，以减少制程变动，相对具备成本效益。

　　他进一步指出，3 纳米虽然沿用FINFET，但技术层次、投资金额均较过去高出许多，挑战也不小，因此台积电在产能规划也比5纳米更为积极，除反映出大客户需求旺盛外，也希望客户可以在3 纳米世代停留久一些，为下一代2 纳米做好充足准备。

　　此外管竞争对手三星在努力完善流程，试图追赶台积电，但鉴于目前台积电已经很好的掌握了EUV并取得了良好的进展，这种趋势在可预见的未来不太可能改变。（参考阅读：同样的EUV光刻机，为什么只有台积电能实现高量产？独门绝技：一万片晶圆落尘数只有几颗！）

　　业内消息人士指出，台积电目前提供的5nm制程之后的大规模制程的生产路线图被认为如下：（注：在5nm +和3nm之间，计划插入4nm工艺，作为第三代5nm工艺，但是批量生产时间未知。）

　　5nm：2020年开始量产（在台南最先进的“ Fab 18”工厂生产）

　　5nm+：计划于2021年开始批量生产

　　3nm：计划于2022年开始批量生产（台南工厂建成，设备于2021年投入生产，风险生产计划开始）

　　3nm+：计划于2023年开始批量生产

　　2nm：计划于2024年开始批量生产（工艺开发，新竹工厂建设，风险生产计划于2023年开始）

　　1nm：正在研发中（在新竹总部附近，一个名为“ TSMC的贝尔实验室”的大型研发中心正在建设中。）