与非网6月1日讯 半导体制造商GLOBAL FOUNDRIES与航空航天和国防技术公司Raytheon Technologies将合作开发一种新的硅基氮化镓（GaN-on-Si）半导体，并将其商业化，以支持未来的无线网络。

　　领先的航空航天和国防科技公司RaytheonTechnologies（NYSE：RTX）和全球领先的特殊工艺半导体制造商格芯（GLOBALFOUNDRIES）将协作开发新型硅基氮化镓（GaN-on-Si）半导体并实现其商业化。这种半导体将为5G和6G移动及无线基础设施应用带来颠覆性的射频性能。

　　根据协议，Raytheon Technologies将授权格芯使用其专有的硅基氮化镓技术和专业知识，在其位于佛蒙特州伯灵顿的Fab 9厂开发这种新型半导体。氮化镓是一种独特的材料，用于制造可耐受高热量和高功率水平的高性能半导体。这种优点使得它非常适合处理5G和6G无线信号，因为这些信号需要比传统无线系统更高的性能水平。

　　雷神技术公司是先进的射频砷化镓技术的先驱之一，广泛用于移动和无线市场。Raytheon Technologies 的首席技术官 Mark Russell 表示，他们在推进用于先进军事系统的氮化镓技术也处于世界的最前沿。

　　雷神技术公司将把其专有的GaN-on-Si技术授权给GF，后者将在其位于佛蒙特州伯灵顿的第9工厂开发这种新的半导体。

　　氮化镓是一种用于构建高性能半导体的材料，可以有效降低器件热损耗提高功率水平。这使其成为处理5G和6G无线信号的理想选择，与传统的无线系统相比，这些信号需要更高的性能水平。

　　新的 GaN 产品将提高射频性能并维持生产和运营成本。这将使客户能够将功率和功率附加效率提高到新水平，以满足不断发展的5G和6G毫米波工作频率标准。

　　此次合作标志着GLOBAL FOUNDRIES 在提供差异化解决方案方面的最新战略合作伙伴关系。在过去10年中，该公司已在美国半导体开发领域投资了150亿美元。它计划在2021年将其计划投资增加一倍，以扩大全球产能。

　　事实上，过去几年，其他企业也在联手推动氮化镓生产。

　　2018年，意法半导体宣布与美国MACOM联合开发硅基氮化镓产品，MACOM获得了技术许可，增加了150mm的硅基氮化镓晶片的生产能力，并能够满足200mm晶片的需求。

　　2020年2月，意法半导体宣布与台积电合作，以加快氮化镓工艺技术的开发，并向市场提供分立和集成的GaN器件。

　　2018年10月，II-VI宣布与住友电气设备创新有限公司（SEDI）进行战略合作，建立垂直集成的150毫米晶圆制造平台，以生产在支持下一代无线网络的碳化硅基氮化镓HEMT器件。