三星电子宣布（3月25日），开发了业内首款容量达到512GB的DDR5内存模组。
　　据悉，存储颗粒采用高电介质金属栅极（HKMG）晶体管工艺制造，进一步降低漏电。
　　单DRAM芯片的容量是16Gb（2GB），通过TSV穿孔实现了8层堆叠，也就是16GB，凑成512GB的话总计需要32颗。
　　速度方面，这款DDR5内存条的速度高达7200Mbps，也就是7200MHz频率。即便如此，三星表示功耗下降了13%。
　　Intel副总裁Carolyn Duran确认，三星的新款DDR5内存和下一代至强可扩展处理器（Sapphire Rapids蓝宝石激流）兼容。根据路线图，Sapphire Rapids应该是第四代至强可扩展处理器，年底前登陆，除了DDR5，还会首发PCIe 5.0。
　　三星表示，旗下多款DDR5内存已经进入试样阶段。
　　对于普通消费者来说，对DDR5的支持要等到下半年的12代酷睿（Alder Lake）和AMD Zen4了。
　

　　那么，最近有买内存的小伙伴吗？内存条的价格是不是在悄然上涨？
　　据供应链消息，DRAM内存颗粒的现货价格最近极速上涨，今年初到现在已经涨了60%多，是2019年3月份以来的最高价格水平。
　　内存价格大涨与多方面需求有关，PC、消费电子以及汽车行业的生产正在迅速恢复，导致内存芯片需求意外增长。
　　这一次的内存价格上涨还看不到头，短期内无法解决，三星、SK海力士及美光三大内存巨头过去两年就在削减内存产能，再加上最近半年来全球半导体产能紧张，各种电子元件都在涨价，内存价格已经无法回头。
　　唯一的变数就要看国产内存了，生产内存模组的厂商光威之前表态，喊出了“内存涨价不要怕，光威纯国产内存2021年将大幅增产”的口号，他们采用合肥长鑫内存颗粒的纯国产内存今年会大幅增产，有望抑制内存价格涨势。
　　此前合肥产投集团披露，截至2020年底，合肥长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目提前达到4万片/月产能，开始启动6万片/月产能建设，实现了从投产到量产再到批量销售的关键跨越。
　

　　另外，存储大厂SK海力士的CEO李锡熙（Seok-Hee Lee）近日在IEEE国际可靠性物理研讨会上发表主题演讲，分享了在闪存、内存未来发展方面的一些规划和展望。
　　3D NAND闪存方面，如今行业的发展重点不是更先进的工艺，也不是QLC、PLC，而是堆叠层数的不断增加，SK海力士就已经做到了176层。
　　SK海力士此前认为，3D闪存的堆叠层数极限是500层，不过现在更加乐观，认为在不远的将来就能做到600层。
　

　　当然，为了做到这一点，需要在技术方面进行诸多创新和突破，比如SK海力士提出了原子层沉积（ALD）技术，进一步强化闪存单元属性，可以更高效地存储、释放电荷，并且在堆叠层数大大增加后依然保持电荷一致性。
　　为了解决薄膜应力（film stress）问题，SK海力士引入了新的氮氧化物材料。
　　为了解决堆叠层数增加后存储单元之间的干扰、电荷丢失问题，SK海力士开发了独立的电荷阱氮化物（CTN）结构，以增强可靠性。
　　另外针对DRAM内存发展，SK海力士在考虑引入EUV极紫外光刻，可将工艺制程推进到10nm以下。
　　

更多信息可以来这里获取==>>电子技术应用-AET<<