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SK海力士计划投资5.3万亿韩元再建一座DRAM工厂

2024-04-25
来源:半导体芯闻
关键词: SK海力士 DRAM

韩国存储芯片制造商 SK 海力士周三表示,计划投资 5.3 万亿韩元(约合 38.6 亿美元)在韩国建设一家新的动态随机存取存储器(DRAM)芯片生产基地。

英伟达供应商计划于 4 月底开始建设名为 M15X 的芯片工厂,并计划在 2025 年 11 月之前实现量产。

公司声明称,包括计划逐步增加的设备投资在内,新生产基地的长期总投资预计将超过20万亿韩元。

由于芯片行业低迷,SK 海力士去年削减了 50% 的年度投资,并在 10 月份表示,2024 年的投资增长将保持在最低限度。

尽管该芯片制造商采取限制投资的立场,但其用于图形处理单元(GPU)以训练人工智能(AI)系统的高带宽内存(HBM)芯片的需求如此之高,以至于该公司今年的现有产能已被预订满,并且它说,明年。

SK海力士表示,新生产基地旨在增加DRAM产能,重点是HBM。

全球第二大存储芯片制造商预计HBM市场年增长率将超过60%,在服务器大容量芯片产品的带动下,通用DRAM的需求稳步增长。

SK 海力士计划于周四公布 1 月至 3 月季度收益。

SK海力士,利润暴增一倍

韩国半导体大厂SK 海力士将于明(25) 日发表今年第一季财报成绩单,市场普遍看好该公司营收上看12.09 兆韩元(约台币2700 亿元),营业利润则料将达到1.74兆韩元(约台币390 亿元),较一年前暴增一倍。

受惠于生成式AI 对高频宽记忆体(HBM) 的需求,SK 海力士股价过去一年上涨一倍有余,市值也达到124.49 兆韩元(约台币2.89 兆元),不久前SK 海力士还表示,由于市场对HBM 需求火热,去年第四季订单大增,收到的客户预付款达1.3 兆韩元(约台币300 亿元),创近三年来单季新高,其中大部分钱都是AI 芯片大厂英伟达预付的。

知情人士表示,SK 海力士将把这些钱用来扩大最新一代HBM3e 型号的产能。在最新版的HBM 中,SK 海力士拥有超过90% 的市占率,竞争对手三星电子的最新型HBM 则迄今还未通过英伟达的测试。

去年8 月,SK 海力士宣布开发出为AI 服务的超高性能HBM,速度可达到每秒可处理230 部全高画质电影数据,该公司预计去年全年HBM 业务收入将成长50% 以上,到2030 年,每年HBM 出货1 亿颗以上。SK 海力士尚未公布去年全年财报数字。

SK 海力士正努力拿到更多用于生成式AI 的芯片订单,10 年前便开始投入HBM 领域,前年市占率达50%,高于竞争对手三星的40% 左右跟美光的10%。

HBM 用于AI、5G、物联网、GPU、虚拟实境和扩增实境系统,跟传统的DRAM 和快闪记忆体相比,能提供更快的资料处理速度和更低的功耗,尤其能更好地跟用于训练AI 的芯片配合使用。

根据专业机构分析,随着AI 专用芯片和高效能伺服器市场正式,对高效能芯片的需求料将创史上新高,根据市调机构顾能预估,今年储存芯片市场将在AI 伺服器需求爆发的带动下大幅成长66.3%,世界半导体市场统计机构(WSTS) 也预估,今年记忆体芯片市场产值将达到1300 亿美元,比去年成长40%。

用英伟达或超微半导体的GPU 训练大语言模型(LLM) 时的庞大资料通常放在HBM 里,一般一块GPU 搭载4 到8 块HBM,SK 海力士HBM 市占率高,也是因为它跟GPU 配合较好,效率较高。对单次训练成本高达100 万美元的大模型来说,效率提升一点点,累积省下的资金是相当惊人的。

英伟达今年将开卖一款全新高性能GPU,号称将配备全球最快记忆体,英伟达虽未点名使用哪家厂商的HBM,但业界普遍猜测是SK 海力士。超微去年12 月发布最新一代的AI 芯片MI300,用的就是SK 海力士和三星电子的HBM。

由于HBM 价格是普通储存芯片的5 倍,利润也是普通储存芯片的两倍以上,今年SK 海力士跟三星有望今年从2023 年的谷底彻底翻身,并达到创纪录的50% 获利率。


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