·ST将在意大利卡塔尼亚新建8英寸碳化硅功率器件和模块大规模制造及封测综合基地

　　·这项多年长期投资计划预计投资总额达50亿欧元，包括意大利政府按照《欧盟芯片法案》框架提供的20亿欧元资金

　　·卡塔尼亚碳化硅产业园将实现ST的碳化硅制造全面垂直整合计划，在一个园区内完成从芯片研发到制造、从晶圆衬底到模块的碳化硅功率器件全部生产，赋能汽车和工业客户的电气化进程和高能效转型

　　2024年6月6日，中国 -- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 （STMicroelectronics, 简称ST; 纽约证券交易所代码： STM），宣布将在意大利卡塔尼亚打造一座集8英寸碳化硅（SiC）功率器件和模块制造、封装、测试于一体的综合性大型制造基地。通过整合同一地点现有的碳化硅衬底制造厂，意法半导体将打造一个碳化硅产业园，实现公司在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化硅的愿景。新碳化硅产业园的落地是意法半导体的一个重要里程碑，将帮助客户借助碳化硅在汽车、工业和云基础设施等领域加速电气化，提高能效。

　　意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示：“卡塔尼亚碳化硅产业园将给ST带来完全垂直整合的碳化硅制造实力，为ST的SiC技术在未来几十年在汽车和工业市场保持领先地位做出巨大贡献。该项目带来的规模经济和协同效应将让我们能够更好地利用大规模制造能力进行技术创新，助力欧洲乃至全球客户加快电气化转型，寻求能效更高的解决方案，实现他们的低碳减排目标。”

　　作为意法半导体全球碳化硅生态圈的中心，该碳化硅产业园将整合制造流程中的所有工序，包括碳化硅晶片衬底开发、外延生长工艺、8英寸晶圆制造及模块封装、工艺研发、产品设计，以及先进的裸片、电源系统、模块研发实验室和封装测试。该项目将成为欧洲首个一站式量产8英寸碳化硅的综合制造基地，整合碳化硅生产的每道工序（衬底、外延、晶圆加工和芯片封测）。为提高芯片良率和性能，该项目将采用8英寸晶圆制造技术。

　　该项目预计2026年运营投产，在2033年前达到全部产能，在全面落成后，晶圆产量可达1.5万片/周。该项目总投资额预计约为50亿欧元，意大利政府将按照《欧盟芯片法案》框架提供约20亿欧元的资金支持。该碳化硅产业园从设计、开发到运营将全部融入可持续发展的理念，确保以负责任的方式消耗水、电力等资源。

　　补充信息

　　碳化硅 （“SiC”） 是一种由硅和碳两种元素组成的重要的复合材料（和技术）。在电力应用领域，与传统的硅材料相比，碳化硅具有多重优势。碳化硅的宽禁带及其固有特性，例如，导热性更好，开关速度更快，耗散功率更低，使其特别适合制造高压功率器件，特别是1200V以上的功率器件。在市面上销售的碳化硅功率器件分为碳化硅 MOSFET裸片和全碳化硅模块两大类，与传统硅半导体相比，碳化硅输出电流更高，静态漏电流更低，能效更高，特别适用于电动汽车、快速充电基础设施、可再生能源和各种工业应用（包括数据中心）。然而，与硅基芯片相比，碳化硅芯片的制造难度更大，成本更高，在制造工艺的产业化过程中，还有许多挑战需要克服。

　　意法半导体在碳化硅市场的领先优势基于公司25年来长期专注和技术研发和拥有的大量关键专利。卡塔尼亚长期以来一直是意法半导体技术创新的重要场所，是公司最大的碳化硅研发中心和制造活动所在地，为公司开发更多、更好的碳化硅产品做出了贡献。随着公司功率电子元器件生态系统的形成，包括意法半导体与卡塔尼亚大学和CNR（意大利国家研究委员会）以及大型供应商网络的长期合作，该投资将加强卡塔尼亚碳化硅技术全球技术创新中心的作用，为碳化硅市场进一步增长创造机会。

　　意法半导体目前已经在意大利卡塔尼亚和新加坡宏茂桥的两条6英寸晶圆生产线上量产碳化硅旗舰产品，而在建中的意法半导体和三安光电中国重庆8英寸碳化硅合资制造厂将成为公司第三个SiC晶圆制造中心，专门服务中国市场。与此同时，意法半导体位于摩洛哥布斯库拉和中国深圳的后端工厂将为上述碳化硅晶圆厂提供各种封装测试，包括车规级和大规模量产的碳化硅产品。而碳化硅衬底则由意法半导体位于瑞典北雪平和意大利卡塔尼亚的研发制造基地提供——由于意法半导体正在加快衬底产能，公司大多数碳化硅产品相关研发设计人员都部署在这两个地方。

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