6月25日消息，据媒体报道，SK海力士在近期于美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，重磅发布了关于3D DRAM技术的最新研究成果，展示了其在该领域的深厚实力与持续创新。

据最新消息，SK海力士在3D DRAM技术的研发上取得了显著进展，并首次详细公布了其开发的具体成果和特性。公司正全力加速这一前沿技术的开发，并已取得重大突破。

SK海力士透露，目前其5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一数据意味着在单个测试晶圆上，能够成功制造出约1000个3D DRAM单元，其中超过一半（即561个）为良品，可用于实际应用。

此外，SK海力士的实验性3D DRAM在性能上已展现出与现有2D DRAM相媲美的特性。尽管3D DRAM技术拥有巨大的市场潜力和技术优势，但SK海力士也坦诚地指出，在实现商业化之前，仍需进行大量的技术验证和优化工作。

值得一提的是，与2D DRAM的稳定运行不同，3D DRAM在性能上还存在一定的不稳定性。因此，SK海力士认为，要达到广泛应用的目标，需要进一步提升3D DRAM的堆叠层数，实现32层至192层堆叠的存储单元。这一目标的实现，将极大地推动3D DRAM技术的商业化进程。

在当前的DRAM市场中，三星、SK海力士和美光等少数几家主要参与者依然占据主导地位，共同占据了全球市场份额的96%以上。