8月29日，存储芯片大厂SK海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10nm级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展现了10nm级的超微细化存储工艺技术。

SK海力士强调：“随着10nm级DRAM技术的推进，精细工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。”

SK海力士技术团队表示，公司以1b DRAM平台扩展的方式开发了1c工艺，由此不仅可以减少工艺高度化过程中可能发生的尝试错误，还可以最有效地将业界内以最高性能DRAM受到认可的SK海力士1b工艺优势转移到1c工艺。

而且，SK海力士在部分EUV工艺中开发并适用了新材料，也在整个工艺中针对EUV适用工艺进行了优化，由此确保了成本竞争力。与此同时，在1c工艺上也进行了设计技术革新，与前一代1b工艺相比，其生产率提高了30%以上。

据介绍，此次推出的1c DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps（每秒8千兆比特），与前一代相比速度提高了11%。另外，能效也提高了9%以上。随着AI时代的到来，数据中心的耗电量在继续增加，如果运营云服务的全球客户将SK海力士1c DRAM采用到数据中心，公司预测其电费最高能减少30%。

SK海力士DRAM开发担当副社长金锺焕表示：“1c工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力，公司将其应用于新一代HBM1、LPDDR62、GDDR73等最先进DRAM主力产品群，由此为客户提供差别化的价值。今后公司也将坚守DRAM市场的领导力，巩固最受客户信赖的AI用存储器解决方案企业的地位。”