消息称三星1&2代3nm工艺良率仅60%和20%
年内恐大面积更换半导体高管
2024-11-08
来源:IT之家
11 月 7 日消息,韩媒《时事周刊 e》(Sisa Journal e)当地时间今日报道称,三星电子第 1、2 代 3nm 工艺(注:即 SF3E-3GAE 与 SF3-3GAP)目前良率分别为 60% 和 20% 左右。
这一水平未达到高通、英伟达等主要潜在客户提出的 70% 要求,导致三星无法在最先进制程上与台积电争夺订单,进而影响了三星尖端逻辑工艺投资的收益能力。
韩媒表示,作为一家某种意义上算是 IDM 的企业,三星 DS 部的三大业务部存储器、系统 LSI、Foundry 实际上环环相扣:
系统 LSI 设计的自家 Exynos 处理器如能由 Foundry 顺利制造,则对外界证明了 Foundry 的技术水平,这会吸引外部客户选择三星逻辑代工 + HBM + 先进封装“交钥匙”方案,存储器业务部的先进 HBM 内存自然不愁销路。
而三星电子目前未能实现这一良性循环,导致半导体业务整体处于危机状态。
韩媒认为三星电子 DS 部将在集团年度管理层调整中经历高管大洗牌,三大业务部的负责人均可能被更换。同时这一调整预计于本月内进行,早于常例的 12 月初。
三星电子今年 5 月出人意料地在年中就更换了 DS 部总负责人,由全永贤接替庆桂显。
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