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英伟达被曝研发SOCAMM内存

高性能、低功耗,694 个 I/O 端口突破 AI 计算瓶颈
2025-02-18
来源:IT之家

2 月 18 日消息,科技媒体 WccFTech 昨日(2 月 17 日)发布博文,报道称英伟达正积极研发名为“SOCAMM”的全新内存模块,主要用于 Project DIGITS 等个人 AI 超级计算机,可在性能方面带来巨大飞跃。

该模块不仅体积小巧,而且功耗更低,性能更强,有望成为内存市场的新增长点。目前正与三星电子、SK 海力士和美光等内存厂商进行 SOCAMM 原型机的性能测试,预计最快将于今年年底实现量产。

援引博文介绍,SOCAMM 拥有最多 694 个 I/O 端口,远超 PC DRAM 和 LPCAMM,有效解决处理器和内存之间的数据瓶颈问题。

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SOCAMM 在保证高性能的同时,还实现了更低的功耗,更具成本效益,并采用可拆卸设计,方便用户升级更换,延长设备使用寿命。此外,小巧的体积允许制造商在模块上集成更多的 DRAM,从而实现更高的内存容量。


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