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三星Exynos 2700将采用全新SbS散热技术

2026-06-23
来源:芯智讯
关键词: 三星 Exynos 2nm SbS散热

6月22日消息,据外媒Wccftec报道,韩国三星电子正积极开发基于其2nm制程的下一代旗舰移动处理器Exynos 2700,以展现其在先进制程技术上的实力。但市场消息指出,三星的2奈米GAA制程在功耗、性能与面积(PPA)等关键指标上,目前仍落后于竞争对手台积电的N2P制程。为了弥补潜在的制程劣势并维持竞争力,三星正致力于研发突破性的SbS散热解决方案,力图在旗舰芯片市场中站稳脚步。

报道称,三星电子基于2nm制程的上一代旗舰移动处理器Exynos 2600在执行高负载任务时的功耗最高可达30W,这已达到了笔记本电脑处理器的功耗水准。为了解决发热问题,三星在Exynos 2600上首次导入了FOWLP-HPB(Heat Pass Block,热路径阻断)技术,使得Exynos 2600封装能达到高效的向外散热效能。数据显示,与先前的封装方案相比,新技术能将热阻降低多达16%,进一步带来显著的性能增强。另有报道称,搭载HPB技术的芯片在性能结果上,甚至超越了使用液态氮极限散热技术的Snapdragon 8 Elite Gen 5,表现相当令人惊艳。

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而对于新一代的Exynos 2700,三星则计划导入最新的名为FOWLP-SbS(Side-by-Side,SbS)的全新散热封装方案,即将AP应用处理器与DRAM由传统上下堆叠封装改为并排封装,再加上SbS导热块,以减少热力集中,改善长时间高负载下的温度控制,从而在性能、散热及成本之间取得平衡。以便能够应对高通Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro与联发科Dimensity 9600等基于台积电2nm制程的新一代旗舰移动处理器处的竞争。

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另外,三星也在积极推动其全新散热技术开放给高通等客户使用,有传闻称,高通Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro芯片将考虑采用。

但是,如果三星的散热解决方案无法有效维持高阶SoC的温度,高通就不会考虑将其应用于自家的Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro芯片上。这代表着,虽然三星在2nm制程技术的纯硬件指标上可能面临挑战,但其在散热技术上的创新,不仅成为自家芯片的救命稻草,更有望成为引领业界的新标准。

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