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100V 高端/低端 N 沟道高速 MOSFET 驱动器

2008-06-12
作者:凌力尔特公司
 

凌力尔特" title="凌力尔特">凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高频、高输入电源电压 (100V) MOSFET 驱动器 LTC4446,用来驱动双晶体管" title="双晶体管">双晶体管正激式转换器中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和一个凌力尔特公司" title="凌力尔特公司">凌力尔特公司的 DC/DC 控制器一起,可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器,或者可以配置为快速动作的高压 DC 开关。 

这个强大的驱动器以 1.2Ω 下拉阻抗驱动高端 MOSFET 时可以提供高达 2.5A 的电流,而以 0.55Ω 下拉阻抗驱动同步 MOSFET 时可提供 3A 的电流,从而非常适用于驱动高栅极电容、大电流 MOSFETLTC4446 还可以为较大电流应用驱动多个并联 MOSFET。当驱动一个 1000pF 负载时,高端 MOSFET 的快速 8ns 上升时间" title="上升时间">上升时间和 5ns 下降时间、以及低端 MOSFET 6ns 上升时间和 3ns 下降时间最大限度地减小了开关损耗。 

LTC4446 配置为使用两个不受电源影响的输入。高端输入逻辑信号在内部将电平移位至自举电源,在比地电平高 114V 时还可以工作。另外,该器件在 7.2V 13.5V 的电压范围内同时驱动高端和低端 MOSFET 栅极。 

LTC4446EMS8 LTC4446IMS8 采用耐热增强型 MSOP-8 封装,以 1000 片为单位批量购买,每片价格为 1.69 美元。 

照片说明100V 高端/低端 MOSFET 驱动器 

性能概要:LTC4446 

·高端/低端 N 沟道 MOSFET 驱动器 

·最高电源电压为 100V 

·非常适用于双晶体管正激式转换器 

·高压开关应用 

·大驱动电流:在下拉阻抗为 0.55Ω 时提供 3A 电流 

·7.2V 13.5V 的栅极驱动电压 

·高端栅极:驱动 1000pF 负载时上升时间为 8ns,下降时间为 5ns 

·低端栅极:驱动 1000pF 负载时上升时间为 6ns,下降时间为 3ns 

·为栅极驱动电压提供欠压闭锁 

·耐热增强型 MSOP-8 封装 

 

凌力尔特公司简介 

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 创建于 1981 年,是一家高性能" title="高性能">高性能线性集成电路制造商。凌力尔特于 1986 年成为一家上市公司,并于 2000 年成为由主要上市公司组成的 S&P 500 指数的成员之一。凌力尔特的产品包括高性能放大器、比较器、电压基准、单片滤波器、线性稳压器、DC/DC 变换器、电池充电器、数据转换器、通信接口电路、射频信号修整电路、uModuleTM 产品以及其它众多模拟功能。凌力尔特公司的高性能电路可用于电信、蜂窝电话、如光纤交换机的网络设备、笔记本电脑和台式电脑、计算机外围设备、视频/多媒体装置、工业仪表、安全监控设备、包括数码照相机、MP3 播放器在内的高端消费类产品、复杂医疗设备、汽车用电子设备、工厂自动化、过程控制、军事和航天系统等领域。如需了解更多信息,请登录 www.linear.com.cn  

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