索尼" title="索尼">索尼公司21日宣布已经研发出高功率" title="高功率">高功率、短波长的红光" title="红光">红光半导体激光二极管阵列" title="二极管阵列">二极管阵列，作为投影器件的理想光源。
　　
　　为了让红光半导体激光" title="半导体激光">半导体激光二极管阵列能够适用在投影器件上，它们必须符合高亮度，高效率和室温下工作的要求。这一新开发的激光二极管阵列，实现了振幅波长635nm，产生的亮度水平是传统红光半导体激光的1.6倍。
　　
　　激光阵列是由25个宽条纹激光组成，每一个激光棒的长度是10mm。激光棒安装在一个铜散热器座上。索尼在激光活跃层内实现了最佳的一致性，高纯度晶体层，以及在AlInP电镀层内掺杂高浓度的镁，这一系列措施确保实现低阈值电流和改善激光特性。为了附着激光阵列和散热器，索尼引入了新的die bonding封装技术，从而实现激光阵列中高水准的散热能力。此外，激光棒安装过程的精确性也有了进一步的改善，以提供激光阵列和光学部件之间先进的耦合效率。正因为这些技术上的进步，新的红光半导体激光阵列拥有635nm波长， 7.2瓦特光功率， 23 ％的能量转换效率，以及在25°C的室温条件运作的能力。这些散热和光学特性，使它非常容易应用在投影器件的设计中。
          　　
　　索尼将于9月2日到9月5日，在日本名古屋市Chubu大学举行的第69届日本社会应用物理学秋季大会上展示这些成果。