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飞兆半导体Dual Cool™ 封装满足 DC-DC设计对更高功率密度需求

新技术通过封装顶部实现额外的功率耗散
2010-10-27

 

    随着功率模块、电信和服务器等DC-DC应用设备变得愈加空间紧凑,设计人员寻求更小的器件以应对其设计难题,而器件的热性能是人们关注的考虑因素。

    为了满足高电流能力、高效率和更小外形尺寸的需求,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出用于MOSFET器件的Dual Cool™封装,Dual Cool封装是采用崭新封装技术的顶部冷却PQFN器件,可以通过封装的顶部实现额外的功率耗散。

    Dual Cool封装具有外露的散热块,能够显著减小从结点到外壳顶部的热阻。与标准PQFN封装相比,Dual Cool封装在配合散热片使用时,可将功率耗散能力提高60%以上。此外,采用Dual Cool封装的MOSFET通过使用飞兆半导体专有的PowerTrench®工艺技术,能够以较小的封装尺寸实现更低的RDS(ON)和更高的负载电流。

     不同于其它采用顶部冷却的解决方案,这些器件提供有Power33 (3.3mm x 3.3mm)和Power56 (5mm x 6mm) Dual Cool封装选项。Dual Cool封装保持与行业标准PQFN相同的占位面积,可让功率工程师快速验证采用Dual Cool封装的MOSFET器件,无需采用非标准封装,即可获得更佳的热效率。

     目前采用Dual Cool封装的器件包括FDMS2504SDCFDMS2506SDCFDMS2508SDCFDMS2510SDC (5mm x 6mm)和FDMC7660DC (3.3mm x 3.3mm),这些器件是用于DC-DC转换器、电信次级端整流和高端服务器/工作站应用的同步整流MOSFET的理想选择。飞兆半导体Dual Cool 封装MOSFET具有顶部冷却和超低结温(RthJA)特性,能够提升热效率。采用Dual Cool封装的MOSFET器件可以使用或不使用散热片。要了解有关Dual Cool封装器件的更多信息,请访问网页: www.fairchildsemi.com/dualcool

    Dual Cool封装MOSFET是飞兆半导体行业领先的MOSFET产品系列的一部分,飞兆半导体通过了解空间受限应用对更高电流、更小占位面积DC-DC电源的需求,以及客户和其服务的市场,量身定做具备独特的功能、工艺和封装创新组合的解决方案,在电子产品设计方面发挥重要的作用。

查看飞兆半导体Dual Cool封装的其它信息,请访问站:www.fairchildsemi.com/dualcool

价格(订购1,000个):FDMS2504SDC 的单价为4.14美元

                     FDMS2506SDC 的单价为3.46美元

                     FDMS2508SDC 的单价为2.70美元

                     FDMS2510SDC 的单价为2.08美元

                     FDMC7660DC 的单价为1.38美元

供货:现提供样品

交货期收到订单后8至12周

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http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS2504SDC.pdf

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http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS2510SDC.pdf

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飞兆半导体公司简介

    美国飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor;纽约证券交易所代号:FCS) -全球营运、本地支持、创新观念。飞兆半导体专为功率便携设计提供高能效、易于应用及高增值的半导体解决方案。我们帮助客户开发差异化的产品,并以我们在功率和信号路径产品上的专业知识解决他们遇到的困难技术挑战。查询更多信息,请访问网站:www.fairchildsemi.com

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