Qualcomm 中兴通讯和Wind Tre展开5G合作

圣迭戈--Qualcomm Incorporated子公司Qualcomm Technologies,Inc.、中兴通讯、Wind Tre宣布，将合作开展基于3GPP标准5G新空口（5G NR）规范的互操作性测试和OTA外场试验。试验将验证5G服务和技术，使符合标准的5G新空口基础设施和终端能够就绪，以支持商用网络的及时部署。

发表于：2017/12/27 上午5:00:00

5G标准确立 物联网板块一路看涨

工信部宣布，我国5G技术研发第二阶段试验已经完成，2018年将完成第三阶段测试，推动形成全球统一5G标准，我国正努力在5G时代领跑。此前几天，5G 刚迎来重要时刻：5G标准确定。

发表于：2017/12/27 上午5:00:00

押宝5G 中兴能否度过“中

中兴通讯港股股价已连续两个工作日上涨。此前12月21日，3GPP(移动通信标准化机构)在葡萄牙首都里斯本正式签署通过了5G非独立组网第一个标准。业内普遍认为，5G利好是中兴通讯股价上涨的原因。

发表于：2017/12/27 上午5:00:00

助力首版5G新空口标准完成 2019年5G试商用

中国电信副总经理刘桂清26日表示，中国电信计划于2018年在全国多个主要城市开展中等规模的外场实验，为2019年5G的试商用以及之后的规模商用做充分的准备。

发表于：2017/12/27 上午5:00:00

中国电信计划2018年启动中等规模5G外场实验

记者从中国电信获悉，3GPP国际标准组织近日宣布，面向非独立组网的第一版5G新空口国际标准已按计划完成。同时，参与标准制定的中国电信计划于2018年在全国多个城市开展中等规模5G外场实验，为2019年5G试商用以及之后的规模商用做准备。

发表于：2017/12/27 上午5:00:00

挖走苹果芯片工程师 谷歌也要“软硬一体”

自2010年开始 苹果再iPhone上开始用自主设计的芯片

发表于：2017/12/27 上午5:00:00

物联网与AI将推升次世代内存需求

经过十多年的沉潜，次世代内存的产品，包含FRAM（铁电内存），MRAM（磁阻式随机存取内存）和RRAM（可变电阻式内存），在物联网与智能应用的推动下，开始找到利基市场。

发表于：2017/12/27 上午5:00:00

东芝宣布兴建第 7 座 NAND Flash 工厂

2017 年是 NAND Flash 闪存厂商丰收的一年，零售价格的暴涨带动了厂商的营收，同时还对获利有了巨大贡献。 所以，当前全球的 4 大 NAND Flash 厂商，包括三星、Intel／美光、东芝、SK 海力士也有了充足的资金来进行新一波的投资。 而根据外电的报导，东芝就最新宣布，将拿出 70 亿日圆的金额，准备兴建第 7 座闪存工厂（Fab7），地点就在日本的四日市（Yokkaichi）。

发表于：2017/12/27 上午5:00:00

三星要或将取代英特尔 成芯片行业老大

北京时间12月26日早间消息，据《日本经济新闻》网站报道，今年三星电子要成为世界上最大的半导体销售企业。市场对于内存芯片需求的暴增，让三星有可能超越在芯片行业蝉联销售冠军25年之久的英特尔公司。

发表于：2017/12/27 上午5:00:00

三星前三季芯片收入达492亿美元超英特尔

据《日经亚洲评论》北京时间12月26日报道，三星电子有望在今年成为全球最大半导体销售商。飙升的存储芯片需求正推动三星超越英特尔公司，后者已经把持年芯片收入第一的位置长达25年时间。

发表于：2017/12/27 上午5:00:00