头条 中国信通院主导的锂电池和移动通信终端耐用性国际标准正式发布 1 月 9 日消息，泰尔终端实验室今日宣布，国际电信联盟（ITU）正式发布了由中国信息通信研究院（注：简称“中国信通院”）泰尔终端实验室主导制定的两项重要国际标准 —— L.1011《锂离子电池耐用性评价指南》和 L.1018《移动通信终端耐用性评价技术规范》。 最新资讯 基于缓变复合沟道的高线性GaN HEMT仿真研究 基于半导体工艺与器件模拟工具（TCAD）提出并仿真了一种基于缓变组分AlGaN和InGaN复合沟道的高线性GaN HEMT器件，该结构的复合沟道层形成了三维电子气和二维电子气双沟道分布，器件栅压摆幅高达4.1 V，比常规突变异质结HEMT提高2.2 V。器件跨导的二阶导数的峰值比常规器件的低大约56%，显示其优越的抑制三阶互调的能力。另外，还探究了自热效应对器件线性度的影响。所提出的器件结构在高线性应用领域具有良好的应用前景。 发表于：2026/1/14 中科大突破全固态电池瓶颈 以新型电解质大幅降低压力依赖 1月13日消息，中国科学技术大学研究团队在全固态电池关键技术领域取得重要进展，有望推动这一高安全性、高能量密度储能技术的实用化进程。 发表于：2026/1/14 我国科学家成功研发叠层柔性太阳能电池 近日，苏州大学张晓宏教授团队成功研发出柔性晶硅钙钛矿叠层太阳能电池，该成果解决了叠层柔性电池在效率与稳定性方面的核心难题，为航天器和太空数据中心长期运行提供了电力保障，相关研究成果在国际顶级学术期刊《自然》上发表。 发表于：2026/1/14 我国将出台新能源汽车动力电池综合利用管理办法 1 月 13 日消息，国新办 1 月 13 日举行国务院政策例行吹风会，介绍《固体废物综合治理行动计划》有关情况。 发表于：2026/1/13 英飞凌拓展 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列 【2026年1月12日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新封装的 CoolSiC™ MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度 发表于：2026/1/12 德国成功研发出无贵金属电极制氢技术 1 月 11 日消息，一家德国公司莱茵金属（Rheinmetall）成功研发出了用于制氢的创新电极技术，该公司已启动明年中试生产的筹备工作。 发表于：2026/1/12 我国科研团队首创高电压无负极的钠硫电池新体系 近日，上海交通大学变革性分子前沿科学中心孙浩副教授团队在新型储能技术领域取得关键进展。研究团队提出了一种高电压、无负极的钠硫电池体系，有望突破传统钠硫电池在放电电压和安全性方面的瓶颈，为发展下一代大规模储能技术开辟全新路径。相关成果于1月8日发表在国际学术期刊《自然》上。 发表于：2026/1/12 中国信通院主导的锂电池和移动通信终端耐用性国际标准正式发布 1 月 9 日消息，泰尔终端实验室今日宣布，国际电信联盟（ITU）正式发布了由中国信息通信研究院（注：简称“中国信通院”）泰尔终端实验室主导制定的两项重要国际标准 —— L.1011《锂离子电池耐用性评价指南》和 L.1018《移动通信终端耐用性评价技术规范》。 发表于：2026/1/9 英飞凌 CoolMOS™ 8 助力长城电源的电源技术系统性能优化 【2026年1月8日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）凭借其硅基功率 MOSFET 技术 CoolMOS™，正在推动服务器电源管理领域的创新，助力打造能够满足数据中心严苛要求的高性能电源解决方案。 发表于：2026/1/8 全球首款完美全固态电池数据过于完美引争议 芬兰初创公司Donut Lab在6日开幕的2026年美国拉斯维加斯消费电子展（CES）上发布了“全球首款可立即投入量产的全固态电池”，其性能指标远超现有的锂电池，搭载该电池的新型电动摩托车将在2026年第一季度正式上路，投入实际使用。但由于Donut Lab公布的电池数据过于完美，也引发外界的一些质疑。 发表于：2026/1/7 <12345678910…>
