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基于Ga2O3的场效应器件研究进展
所属分类:
技术论文
上传者:
aetmagazine
文档大小:
660 K
标签:
Ga2O3
宽禁带半导体
场效应晶体管
所需积分:0分
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文档介绍:
氧化镓(Ga2O3)作为第三代宽禁带半导体材料,由于其超宽带隙、高击穿场强以及高巴利加优值等优点,广泛应用于大功率器件等领域,已成为近几年来国内外科研人员研究的热点。主要介绍了Ga2O3材料的特性,总结了基于Ga2O3的场效应晶体管(FET)的研究进展,对Ga2O3功率器件的发展进行了思考归纳。
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