基于全物理模型的模块级SRAM的SEU仿真方法AET-电子技术应用-最丰富的电子设计资源平台

基于全物理模型的模块级SRAM的SEU仿真方法
所属分类：技术论文
上传者：aetmagazine
文档大小：559 K
标签：存储器单粒子翻转抗辐照
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文档介绍：随着科学技术的发展和工艺尺寸的降低，单元器件的尺寸逐渐减小，使得单粒子电荷共享和单粒子翻转等效应日益严重，增加了抗辐射加固模块级SRAM设计难度，因此需要一套更为完备的仿真方法对模块级SRAM的单粒子效应敏感性进行预估，为电路加固设计提供依据和建议。基于模块级SRAM的单元结构和电路版图，利用Cogenda软件构建了模块级SRAM单粒子翻转效应仿真方法，对其敏感性进行分析，获得其单粒子翻转LET阈值，并与重离子实验结果进行对比，仿真误差为13.3%。
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