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三星制定DRAM发展蓝图 15纳米是制程微缩极限
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DDR4阵营持续扩大 将首度超越DDR3
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紫光发声自研存储 欢迎美光加入
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长江存储年底提供自研32层堆叠3D NAND闪存样品
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Nor Flash涨价 谁将受益 谁遇难题
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三星/美光 1x 纳米制程良率不及
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3D DRAM帮助延长DRAM存储器的使用寿命
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打造台湾DRAM中心 美光27亿买下达鸿厂房
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三星18nm工艺DRAM芯片惹祸了
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DRAM供不应求加剧 下季涨幅将超预期
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回顾DRAM产业史：DRAM市场已迈入多元化发展
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中国12寸晶圆厂大爆发 FinFET与FD-SOI两大阵营如何站队
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2016年Q4季全球DRAM内存产值达55.05亿美元 季增20%
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紫光挖脚晨星杨伟毅出任长江存储CTO
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我国为何把3D NAND作为入局半导体的最佳切入点？
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未来五年存储器成长力道强劲
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