解决方案

  • 芯片里面有几千万的晶体管是怎么实现的?

    1. 当前CPU上的晶体管已经远远不是千万级别的概念,而是数个billion。 2. 目前最先进的制程工艺是Intel 刚刚公布的14nm工艺,Fin Pitch小于 50nm,可以说是技术上的一个飞跃了。关于所谓的14nm,实际只能初略的反映工艺的一个技术节点,真正的沟道长度要比14nm要长一些。
    发表于:2016/8/16 20:50:00
  • 晶体管出现的意义

    晶体管的出现,是电子技术之树上绽开的一朵绚丽多彩的奇葩。   同电子管相比,晶体管具有诸多优越性:   ①晶体管的构件是没有消耗的。无论多么优良的电子管,都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因,晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善,晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍,称得起永久性器件的美名。
    发表于:2016/8/16 20:44:00
  • 晶体管工作原理是什么?

    利用半导体的特性,每个管子工作原理个不同,你可以找机电方面的书看 下图中的S是指源极(Source),D是指漏极(Drain),G是栅极(Gate)。晶体管的工作原理其实很简单,就是用两个状态表示二进制的“0”和“1”。
    发表于:2016/8/16 20:42:00
  • 晶体管或稳压器并联后可以取消散热器

     双极结型晶体管(BJT)看起来像老式的电子元件,但由于具有低成本和卓越参数的优点,它们可以解决许多问题。我们可以发现过去由于这些元件太高成本而不可能实现的新应用,比如我们可以在某些情况下用多个并联的小功率晶体管替代更大功率的晶体管(带或不带散热器),并从中收获诸多好处。
    发表于:2016/8/16 20:35:00
  • 一个小型晶体管开关电路的应用

    Q3是一个PNP型开关,此开关控制另一PNP型开关Q4,Q5是另一NPN型开关,与本文无关。   实验是想研究Q3偏置电阻对Q4导通情况的影响。电路的设计需求是Q3导通Q4截止,反之亦然。然而可能在Q3导通而VCE较大时,Q4也随之导通。这种情况在Q3负载电容R29固定时,往往是由R27取特定范围值导致的。在PSpice中做个DC扫描,R27从100k变化到10M,结果发现Q3确实不用完全关断Q4就导通了,而且R29的电流不会降低太多,也就是R29的分压没降低多少Q4即可导通,此时Q3对R29分压影响迅速降低,Q4开始保持R29的分压。这个电路的问题在于Q3对Q4的开关界限不够明显,在R27取值合适的情况下,比如要么小于2M要么大于3M,电路没有问题,否则会导致之前所担忧的情况。
    发表于:2016/8/16 20:30:00
  • 场效应晶体管的几点使用技巧

    我们常接触到晶体三级管,对它的使用也比较熟悉,相对来说对晶体场效应管就陌生一点,但是,由于场效应管有其独特的优点,例输入阻抗高,噪声低,热稳定性好等,在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多,根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管;绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管,或简称MOS场效应管.
    发表于:2016/8/16 20:19:00
  • 激光技术用于可穿戴显示器的薄膜晶体管

    OFweek可穿戴设备网讯 韩国科学技术学院(KAIST)材料科学与工程系的KeonJaeLee和Sang-HeeKoPark教授领导的一个研究小组采用无机激光剥离法开发了用于柔性显示器有源矩阵背板的超薄透明氧化物薄膜晶体管(TFT)。
    发表于:2016/8/16 20:14:00
  • 学好嵌入式系统电路入门之——二极管/晶体管/FET

    导电能力介于导体与绝缘体之间的物质 - 半导体 硅和锗是位于银、铝等导体和石英、陶瓷等绝缘体之间,用于制造半导体器件的原材料,具有一定电阻率。不同的物质其产生的不同电阻率是由于可移动的电子量不同引起的。这种可移动电子叫“自由电子”。一般我们把可以通过向其摻入杂质来改变自由电子的数量,并可控制电流动的物质称为半导体。
    发表于:2016/8/16 10:14:00
  • 回顾晶体管历史岁月

    1947年12月16日:威廉·邵克雷(William Shockley)、约翰·巴顿(John Bardeen)和沃特·布拉顿(Walter Brattain)成功地在贝尔实验室制造出第一个晶体管。 1950年:威廉·邵克雷开发出双极晶体管(Bipolar Junction Transistor),这是现在通行的标准的晶体管。 1953年:第一个采用晶体管的商业化设备投入市场,即助听器。
    发表于:2016/8/15 19:31:00
  • 晶体管的分类及重要性

    电力晶体管   电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管,是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT),所以有时也称为Power BJT;其特性有:耐压高,电流大,开关特性好,但驱动电路复杂,驱动功率大;GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。
    发表于:2016/8/15 19:29:00
  • 晶体管的主要参数

    晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。 电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数,用来表示晶体管放大能力。 根据晶体管工作状态的不同,电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。
    发表于:2016/8/15 19:26:00
  • 从电子管、晶体管,到CPU的诞生

    电子管:二战带来的抉择 在教科书中,ENIAC就是电子计算机的起源,而电子管也就在那一刻,确定了其在计算机发展史中的地位。其实,在电子计算机的襁褓期,机电结构还是纯电子计算机,继电器还是电子管?计算机的发展也面临着迷茫中的抉择。
    发表于:2016/8/15 19:18:00
  • 旋转变压器的工作原理

    旋转变压器(旋变)是一种输出电压与转子转角保持一定函数关系的感应式微电机。它是一种将角位移转换为电信号的位移传感器,也是能进行坐标换算和函数运算的解算元件。旋转变压器的工作原理,可以先看以下内容。
    发表于:2016/8/14 23:23:00
  • 旋转变压器的结构和分类

    根据转子电信号引进、引出的方式,分为有刷旋转变压器和无刷旋转变压器。在有刷旋转变压器中,定、转子上都有绕组。转子绕组的电信号,通过滑动接触,由转子上的滑环和定子上的电刷引进或引出。由于有刷结构的存在,使得旋转变压器的可靠性很难得到保证。因此目前这种结构形式的旋转变压器应用的很少。 目前无刷旋转变压器有两种结构形式。一种称作为环形变压器式无刷旋转变压器,另一种称作为磁阻式旋转变压器。
    发表于:2016/8/14 23:18:00
  • 旋转变压器信号测量

    DL850E 示波记录仪在电动车电机测试过程中发挥越来越重要的作用。DL850E 的主要特点是通道深度达2G ,可以100M/s 的采样率长时间记录数据,通道之间隔离,A/D 精度可达16bit。因此可以记录整个测试过程的电压、电流波形,便于后期进行数据分析。 在电动汽车研发过程当中,客户经常会使用旋转变压器测量电机的转速和定位电机转子的转交,通过使用DL850E 的G3 选项,可以对旋转变压器信号进行解码,并进行对转子初始位置的定位。
    发表于:2016/8/14 23:10:00