解决方案

  • N沟MOS晶体管

    金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。 由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
    发表于:2016/8/19 10:25:00
  • MOS晶体管

    金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC
    发表于:2016/8/18 18:46:00
  • 增强型MOS晶体管,增强型MOS晶体管是什么意思

    根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。
    发表于:2016/8/18 18:28:00
  • 什么是耗尽型MOS晶体管

    据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。耗尽型是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。 耗尽型MOS场效应管,是在制造过程中,预先在SiO2绝缘层中掺入大量的正离子,因此,在UGS=0时,这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够的电子,形成N型导电沟道。
    发表于:2016/8/18 18:08:00
  • 最新耐用型大功率LDMOS晶体管耐用测试及应用类型

    目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管,这种产品能够承受相当于65.0:1的电压驻波比(VSWR)的负载失配。但这些晶体管真的无懈可击吗?这种耐用性适用于哪些类型的应用?本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性,并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。
    发表于:2016/8/18 18:00:00
  • 新型高耐压功率场效应晶体管

    ​摘要:分析了常规高压MOSFET的耐压与导通电阻间的矛盾,介绍了内建横向电场的高压MOSFET的结构,分析了解决耐压与导通电阻间矛盾的方法与原理,介绍并分析了具有代表性的新型高压MOSFET的主要特性。
    发表于:2016/8/18 17:24:00
  • 场效应晶体管放大器

    场效应晶体管放大器是电压控制器件,具有输入阻抗高、噪声低的优点,被广泛应用在电子电路中,特别是具有上述要求前级放大器显示器出越性。根据场效应管两大类型--结型场效应管和绝缘栅场效应管可构成相应的场效应管放大器。以下以结型管为例给出三种基本组态放大器的等效电路和性能指标计算表达式,见表5.2-7。图为场效应管具有与晶体管类似的正向受控作用,它也可构成共源极、共漏极、共栅极三种基本放大器。
    发表于:2016/8/18 17:09:00
  • MOS管技术:电源应用中场效应晶体管的崩溃效应

    在 SMPS(Switching Mode POWER Supply) 以及 DC-DC 转换器设计中 , 使用场效应晶体管当作切换开关已经越来越普遍。在设计中为了减少尺寸大小和提升电源密度 , 其电源操作工作频率也要求越来越高。如此会造成较高的 di/dt 产生使得杂散电感效应加诸于场效应晶体管两端 (Drain & Source) 的瞬间电压会更加明显。尤其在电源开机的霎那间 , 此瞬间电压会达到最大值。这是由于变压器一次侧电感值相当于漏电感 ( 最小电感值 ) 而且输出电容完全未充电的状态所致。幸运的是一般场效应晶体管皆可承受高于某些程度的额定电压范围 , 在此条件范围内设计者并不需要增加额外的保护线路以避免不必要的成本支出。此篇文章可带领各位去判断何种条件下对场效应晶体管所造成的影响 , 进而帮助设计者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡点。
    发表于:2016/8/17 18:28:00
  • 增强型和耗尽型场效应晶体管

     总的来说,场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的FET。
    发表于:2016/8/17 18:26:00
  • 电力双极型晶体管(GTR)详解

    电力双极型晶体管(GTR)是一种耐高压、能承受大电流的双极晶体管,也称为BJT,简称为电力晶体管。它与晶闸管不同,具有线性放大特性,但在电力电子应用中却工作在开关状态,从而减小功耗。GTR可通过基极控制其开通和关断,是典型的自关断器件。
    发表于:2016/8/17 18:12:00
  • 单结晶体管工作原理

    单结晶体管(简称UJT)又称基极二极管,它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件,它的基片为条状的高阻N型硅片,两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电呼如图1所示。
    发表于:2016/8/17 18:05:00
  • 光敏晶体管工作原理

    光敏二极管和光敏三极管是光电转换半导体器件,与光敏电阻器相比具有灵敏度高、高频性能好,可靠性好、体积小、使用方便等优。 一、光敏二极管 1.结构特点与符号 光敏二极管和普通二极管相比虽然都属于单向导电的非线性半导体器件,但在结构上有其特殊的地方。 光敏二极管在电路中的符号如图Z0129 所示。光敏二极管使用时要反向接入电路中,即正极接电源负极,负极接电源正极。
    发表于:2016/8/17 16:48:00
  • 惯性MEMS 从提升生活品质到拯救生命

    运动是生命中不可或缺的重要组成部分。能够移动的人似乎在一刻不停地运动着,而不能移动的人则可能需要借助某种形式的机械助力来帮助实现运动。因此,不难想象,能够测量这种运动的惯性传感器在提供有关我们自身的有用信息方面具有重大价值。如今的音频(麦克风)或光学(相机)传感器就是这样。
    发表于:2016/8/17 16:45:00
  • 功率场效应晶体管(MOSFET)原理

    功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件,不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz,特别适于高频化电力电子装置,如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。但因为其电流、热容量小,耐压低,一般只适用于小功率电力电子装置。
    发表于:2016/8/17 16:24:00
  • 单结晶体管的工作原理与伏安特性电路图

    单结晶体管具有负租特性,其工作原理和伏安特性见图1-31。
    发表于:2016/8/17 16:11:00