解决方案

  • 步进电机发热发烫不转原因分析

    步进电机最有意义的一个优点就是在开环系统里可以实现精确的控制。开环控制意味着不需要关于(转子)位置方面的反馈信息。这种控制避免了使用昂贵的传感器以及象光学编码器这样的反馈设备,因为只需要跟踪输入的步进脉冲就可以知道(转子)的位置。最近部分客户向我们山社电机工程师反映步进电机也容易出现发热的问题,那么遇到这种情况该怎么解决呢?
    发表于:2017/10/27 14:21:44
  • 一种提高步进电机运行质量的电流控制方法

    通常,步进电机不是由模拟线性放大器驱动;而是由PWM电流调节驱动,把线性的正弦波信号转换成了离散的直线段信号。 正弦波可被分成多段,随着段数的增加,波形不断接近正弦波。 实际应用中,段数多从4到2048或更多,大多数步进驱动IC采用4到64段细分。整步驱动,每一时刻只有一个相通电,两相电流交替和电流方向切换,使得一共产生四个步进电机机械状态。
    发表于:2017/10/27 14:13:00
  • 简述步进电机原理

    所谓步进电动机就是一种将电脉冲转化为角位移的执行机构;更通俗一点讲:当步进驱动器接收到一个脉冲信号,它就驱动步进电机按设定的方向转动一个固定的角度。 步进电机广泛用于数控机床、自动送料机、软盘驱动器的马达、打印机、绘图仪等设备中。
    发表于:2017/10/27 14:10:06
  • 简述步进电机原理

    所谓步进电动机就是一种将电脉冲转化为角位移的执行机构;更通俗一点讲:当步进驱动器接收到一个脉冲信号,它就驱动步进电机按设定的方向转动一个固定的角度。 步进电机广泛用于数控机床、自动送料机、软盘驱动器的马达、打印机、绘图仪等设备中。
    发表于:2017/10/27 14:10:06
  • 一起来说说步进电机

    ​步进电机是将电脉冲信号转变为角位移或线位移的开环控制电机,是现代数字程序控制系统中的主要执行元件,应用极为广泛。。在非超载的情况下,电机的转速、停止的位置只取决于脉冲信号的频率和脉冲数,而不受负载变化的影响,当步进驱动器接收到一个脉冲信号,它就驱动步进电机按设定的方向转动一个固定的角度,称为“步距角”,它的旋转是以固定的角度一步一步运行的。可以通过控制脉冲个数来控制角位移量,从而达到准确定位的目的;同时可以通过控制脉冲频率来控制电机转动的速度和加速度,从而达到调速的目的。
    发表于:2017/10/27 14:03:00
  • mos管和三极管相比优缺点?

    场效应管是电压控制电流源,控制电压和电流属于不同的支路,因而电压的求解一般不难,进而根据漏极电流表达式来求出电流值,然后进行模型分析,求出跨导和输出电阻. 而三极管要先建立模型,然后进行电路分析,求解过程特别是计算很复杂,容易出错; 总体而言,我觉得场效应管的分析要比三极管简单一些.
    发表于:2017/10/16 15:10:09
  • IGBT模块工作原理以及检测方法

    IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
    发表于:2017/10/16 14:43:51
  • 双极性晶体管

    因为BJT有三个电极,所以存在相应的三个不同的击穿电压值:BVcbo,BVceo和BVebo;这三个击穿电压实际上也就是对应于BJT的三个反向截止电流(Icbo,Iceo和Iebo)分别急剧增大时的电压。
    发表于:2017/10/16 14:03:42
  • 晶体管是怎样制造出来的

    晶体管是二极管、三极管、场效应管等元器件的统称。它是一种用来对电路信号进行处理的元件,当然电路光有晶体管不行,还得要其他元件配合才能完成一定的电路功能。下面我就来谈谈晶体管的制造过程:
    发表于:2017/10/16 13:52:45
  • CMOS管和双极晶体管的区别(JFET类型)

    即使是夹住氧化膜(O)的金属(M)与半导体(S)的结构(MOS结构),如果在(M)与半导体(S)之间外加电压的话,也可以产生空乏层。再加上较高的电压时,氧华膜下能积蓄电子或空穴,形成反转层。将其作为开关利用的即为MOSFET。
    发表于:2017/10/13 15:47:39
  • MOS管的几种效应

    1 沟道长度调制效应(channel length modulation) MOS晶体管中,栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds,夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小,有效沟道电阻也就略有减小,从而使更多电子自源极漂移到夹断点,导致在耗尽区漂移电子增多,使Id增大,这种效应称为沟道长度调制效应。
    发表于:2017/10/12 14:56:40
  • MOS管参数解释

    MOSFET管是FET的一种,可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管,所以通常提到的就是这两种。
    发表于:2017/10/12 14:49:22
  • MOS管 基础知识与应用

    MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。
    发表于:2017/10/12 14:29:21
  • MOS管的好坏判断

    主板上基本上都是N沟道的MOS管,一般我们的测量方法如下:黑表笔接D红表笔接S 有500欧姆左右的电阻。然后红黑对调:红笔接D黑笔接S 万用表显示"1",一般这样我们就可以认为管子是好的。
    发表于:2017/10/12 14:15:27
  • 三极管和MOS管的区别是什么

    实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的,以 npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,
    发表于:2017/10/12 14:13:16