解决方案

  • mosfet的静态特性和主要参数

    Power MOSFET静态特性主要指输出特性和转移特性,与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极开启电压等。
    发表于:2017/10/11 14:18:00
  • MOSFET结构和工作原理

    电力场效应晶体管种类和结构有许多种,按导电沟道可分为P沟道和N沟道,同时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置中,主要应用N沟道增强型。
    发表于:2017/10/11 14:14:00
  • MOSFET选择策略详解

    在70年代晚期推出MOSFET之前,晶闸管和双极结型晶体管(BJT)是仅有的功率开关。BJT是电流控制器件,而MOSFET是电压控制器件。在80年代,IGBT面市,它仍然是一种电压控制器件。MOSFET是正温度系数器件,而IGBT则不一定。MOSFET是多数载流子器件,因而是高频应用的理想选择。
    发表于:2017/10/11 14:05:00
  • 晶体管工作原理

    导读:晶体管,只是对所有以半导体材料为基础的元件的统称,那么问题来了,晶体管工作原理是什么呢?接下来就让我们以双极性晶体管和场效应晶体管为例来详细了解一下吧~
    发表于:2017/10/11 13:57:08
  • ITECH能量回馈式负载

    对于很多具有全球战略目光的公司来说,如何提高产量、产品质量和减少测试成本都是提高企业竞争力的路径。最基础的考虑就是设备的购置、校准和维护成本。虽然初期投资常需要我们的关注,但是运营成本往往在设备总投资中占有更大的成分。控制好总成本可以提高企业竞争力。
    发表于:2017/9/17 15:22:21
  • 7、11纳米LPP工艺一起登场,三星将夺回苹果订单?

    日前三星电子正式宣布,其将11nm FinFET制程技术(11nm LPP,Low Power Plus)提上研发日程,预计将于明年推出首款采用该工艺的芯片。
    发表于:2017/9/13 12:15:41
  • 中国电信即将开启NB-IoT模组宇宙第一标

    近期,作为全球NB-IoT商用最激进的运营商——中国电信正在追求NB-IoT模组价格等同于GSM水准,以此推动NB-IoT模组成本年内降至3美金左右。
    发表于:2017/9/8 14:10:38
  • 中兴率先发布了5G承载解决方案5G Felxhaul

    5G商用,承载先行已成为业界共识,随着5G商用日期的日益临近,5G承载也越来越成为业界关注的焦点。日前,中兴通讯5G承载方案总工赵福川接受C114记者采访时表示,中兴通讯率先发布了5G承载解决方案5G Felxhaul,今年下半年将完成3-4个试商用,受到海内外关注。
    发表于:2017/9/8 14:06:17
  • 微流体冷却法能克服摩尔定律微缩限制?

    为了解决3D芯片堆叠时的液体冷却问题,DARPA研究人员开发出一种使用绝缘介电质制冷剂的途径,可望使3D芯片堆叠至任何高度,从而突破摩尔定律(Moore's Law)的微缩限制。
    发表于:2017/9/5 16:23:52
  • 全面屏时代来临 但究竟怎样才是一个合格的全面屏

    最近几年时间里,智能手机的发展出现了明显的惰性,但是作为人机交互的一个重要途径,手机屏幕近两年的变化还是非常巨大的,一方面是以三星为首的曲面屏设计,而另一个则是我们现在都非常熟悉的全面屏。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。
    发表于:2017/9/5 16:05:00
  • 湖北高校4G网络5G化 网速真快了!

    ​今天开学人这么多,但感觉学校的移动网络更快了。”华中农业大学开学第一天,不少学生发现手机上网速度没受影响。
    发表于:2017/9/5 15:29:16
  • 基于FPGA的数字分频器设计

    摘要:在设计数字电路过程中,通常所需的频率要根据给定的频率进行分频来得到。时钟分频又分为整数分频和小数分频,有时还有会有分数分频。当基准时钟与所需的频率成整数倍关系时为整数分频,可以采用标准的计数器实现,也可以采用可编程逻辑器件实现。
    发表于:2017/9/4 16:16:00
  • AMD ThreadRipper补齐最后短板:终于支持NVMe RAID启动

    在正式发售8核心发烧处理器Ryzen ThreadRipper 1900X的同时,AMD还宣布了一个好消息,ThreadRipper平台即将更新加入NVMe RAID引导启动功能。
    发表于:2017/9/2 17:52:08
  • 基于magnum II测试系统的MRAM VDMR8M32测试技术研究

    摘要: VDMR8M32是珠海欧比特公司自主研发的一种高速、大容量的TTL同步静态存储器(MRAM),可利用其对大容量数据进行高速存取。本文首先介绍了该芯片的结构和原理,其次详细阐述了基于magnum II测试系统的测试技术研究,提出了采用magnum II测试系统的APG及其他模块实现对MRAM VDMR8M32进行电性测试及功能测试。
    发表于:2017/8/28 14:02:00
  • 看ADI如何应对能量采集新挑战

    最近,在能量收集领域涌现了大量的创新成果;特别是随着物联网的飞速发展,越来越多的应用会用到能量采集技术、能源管理系统和可充电电池,以便能够在整个产品生命周期中持续使用。很多公司都在投入去开发能量收集芯片,产生了很多创新技术;在这个细分领域中,ADI公司工业与能源事业部亚太区市场经理张松刚先生提到:“遇到的问题是想要将收集到的能量真正派上用场,既需要解决芯片自身低功耗的问题,还要考虑如何大幅提高转换效率,这对能量采集芯片设计提出了新的挑战。”
    发表于:2017/8/24 10:12:00