解决方案

  • 简易晶体管小功放电路

    简易晶体管小功放电路
    发表于:2016/8/22 18:56:00
  • 简易晶体管OCL功放电路图

    简易晶体管OCL功放电路图 调试方法调试前照例要检查一下元器件.安装和焊接是否正确可靠。特别要注意二极管、三极管、电解电容极性有无装反,大功率管与散热支架间绝缘是否良好。简易晶体管OCL功放电路图:
    发表于:2016/8/22 18:54:00
  • 晶体管转速计原理图

    晶体管转速计原理图
    发表于:2016/8/22 18:52:00
  • PNP晶体管共发共集电路

    PNP晶体管共发共集电路
    发表于:2016/8/22 18:50:00
  • 简易晶体管测试仪电路图

    简易晶体管测试仪电路图
    发表于:2016/8/22 18:49:00
  • 判别端子的晶体管测试仪

    图1中的简单晶体管测试仪可以判断出晶体管的类型,并且能帮助检测出晶体管的发射极、集电极和基极。其方法是检查被测晶体管三个端子T1、T2和T3之间流过的各种可能电流方向的组合。
    发表于:2016/8/22 18:41:00
  • 老式晶体管收音机电路

    老式晶体管收音机电路中L1和L2的绕线是直径为4形式为10的24号线,其匝数是200。可以用到PVC管。老式晶体管收音机电路:
    发表于:2016/8/22 18:33:00
  • 绝缘栅双极晶体管

    绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也是三端器件:栅极,集电极和发射极
    发表于:2016/8/22 18:29:00
  • 绝缘栅双极晶体管(IGBT),IGBT是什么意思

    IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS结构双极器件,属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器(逆变器)、照像机的频闪观测器、感应加热(InductionHeating)电饭锅等领域。
    发表于:2016/8/22 18:27:00
  • IGBT驱动光耦TLP250的应用及注意事项

    在 一 般 较 低 性 能 的 三 相 电 压 源 逆 变 器 中 , 各 种 与 电 流 相 关 的 性 能 控 制 , 通 过 检 测 直 流 母 线 上 流 入 逆 变 桥 的 直 流 电 流 即 可 , 如 变 频 器 中 的 自 动 转 矩 补 偿 、 转 差 率 补 偿 等 。 同 时 , 这 一 检 测 结 果 也 可 以 用 来 完 成 对 逆 变 单 元 中 IGBT实 现 过 流 保 护 等 功 能 。 因 此 在 这 种 逆 变 器 中 , 对 IGBT驱 动 电 路 的 要 求 相 对 比 较 简 单 , 成 本 也 比 较 低 。 这 种 类 型 的 驱 动 芯 片 主 要 有 东 芝 公 司 生 产 的 TLP250, 夏 普 公 司 生 产 的 PC923等 等 。
    发表于:2016/8/22 18:20:00
  • IGBT的驱动和过流保护电路的研究

    绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Tramistor,IGBT)是MOSFET与GTR的复合器件,因此,它既具有MOSFET的工作速度快、开关频率高、输入阻抗高、驱动电路简单、热温度性好的优点,又包含了GTR的载流量大、阻断电压高等多项优点.是取代GTR的理想开关器件。IGBT目前被广泛使用的具有自关断能力的器件,广泛应用于各类固态电源中。IGBT的工作状态直接影响整机的性能,所以合理的驱动电路对整机显得很重要,但是如果控制不当,它很容易损坏,其中一种就是发生过流而使IGBT损坏,本文主要研究了IGBT的驱动和短路保护问题,就其工作原理进行分析,设计出具有过流保护功能的驱动电路,并进行了仿真研究。
    发表于:2016/8/22 18:10:00
  • FPGA设计宝典之提高算法速度的六大绝招

    面积和速度这两个指标贯穿着FPGA设计的始终,是设计质量评价的终极标准。“面积”:指一个设计所消耗的FPGA的逻辑资源数量。FPGA中的逻辑资源,也就是触发器( FF)和查找表(LUT) 。“速度”:是指设计结果在芯片上稳定运行时所能达到的最高频率,这个频率由设计的时序状况决定。与设计满足的时钟周期、PAD to PAD Time、建立时间、保持时间和时钟到输出延时等众多时序特征向量密切相关。
    发表于:2016/8/19 15:39:00
  • MOS晶体管

    金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SEMIconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC
    发表于:2016/8/19 11:04:00
  • P沟MOS晶体管

    ​金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,柵极上加有足够的正电压(源极接地)时,柵极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度,从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
    发表于:2016/8/19 10:44:00
  • N沟MOS晶体管

    金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。 由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
    发表于:2016/8/19 10:25:00