解决方案

  • MOS管技术:电源应用中场效应晶体管的崩溃效应

    在 SMPS(Switching Mode POWER Supply) 以及 DC-DC 转换器设计中 , 使用场效应晶体管当作切换开关已经越来越普遍。在设计中为了减少尺寸大小和提升电源密度 , 其电源操作工作频率也要求越来越高。如此会造成较高的 di/dt 产生使得杂散电感效应加诸于场效应晶体管两端 (Drain & Source) 的瞬间电压会更加明显。尤其在电源开机的霎那间 , 此瞬间电压会达到最大值。这是由于变压器一次侧电感值相当于漏电感 ( 最小电感值 ) 而且输出电容完全未充电的状态所致。幸运的是一般场效应晶体管皆可承受高于某些程度的额定电压范围 , 在此条件范围内设计者并不需要增加额外的保护线路以避免不必要的成本支出。此篇文章可带领各位去判断何种条件下对场效应晶体管所造成的影响 , 进而帮助设计者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡点。
    发表于:2016/8/17 18:28:00
  • 增强型和耗尽型场效应晶体管

     总的来说,场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的FET。
    发表于:2016/8/17 18:26:00
  • 电力双极型晶体管(GTR)详解

    电力双极型晶体管(GTR)是一种耐高压、能承受大电流的双极晶体管,也称为BJT,简称为电力晶体管。它与晶闸管不同,具有线性放大特性,但在电力电子应用中却工作在开关状态,从而减小功耗。GTR可通过基极控制其开通和关断,是典型的自关断器件。
    发表于:2016/8/17 18:12:00
  • 单结晶体管工作原理

    单结晶体管(简称UJT)又称基极二极管,它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件,它的基片为条状的高阻N型硅片,两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电呼如图1所示。
    发表于:2016/8/17 18:05:00
  • 光敏晶体管工作原理

    光敏二极管和光敏三极管是光电转换半导体器件,与光敏电阻器相比具有灵敏度高、高频性能好,可靠性好、体积小、使用方便等优。 一、光敏二极管 1.结构特点与符号 光敏二极管和普通二极管相比虽然都属于单向导电的非线性半导体器件,但在结构上有其特殊的地方。 光敏二极管在电路中的符号如图Z0129 所示。光敏二极管使用时要反向接入电路中,即正极接电源负极,负极接电源正极。
    发表于:2016/8/17 16:48:00
  • 惯性MEMS 从提升生活品质到拯救生命

    运动是生命中不可或缺的重要组成部分。能够移动的人似乎在一刻不停地运动着,而不能移动的人则可能需要借助某种形式的机械助力来帮助实现运动。因此,不难想象,能够测量这种运动的惯性传感器在提供有关我们自身的有用信息方面具有重大价值。如今的音频(麦克风)或光学(相机)传感器就是这样。
    发表于:2016/8/17 16:45:00
  • 功率场效应晶体管(MOSFET)原理

    功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件,不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz,特别适于高频化电力电子装置,如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。但因为其电流、热容量小,耐压低,一般只适用于小功率电力电子装置。
    发表于:2016/8/17 16:24:00
  • 单结晶体管的工作原理与伏安特性电路图

    单结晶体管具有负租特性,其工作原理和伏安特性见图1-31。
    发表于:2016/8/17 16:11:00
  • 光敏二极管和光敏晶体管结构原理

    ​光敏二极管的结构与一般二极管相似。 它装在透明玻璃外壳中, 其PN结装在管的顶部, 可以直接受到光照射。 光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态(见图8-6所示), 在没有光照射时, 反向电阻很大, 反向电流很小, 这反向电流称为暗电流。 当光照射在PN结上时, 光子打在PN结附近, 使PN结附近产生光生电子和光生空穴对。它们在PN结处的内电场作用下作定向运动, 形成光电流。光的照度越大, 光电流越大。 因此光敏二极管在不受光照射时, 处于截止状态, 受光照射时, 处于导通状态。
    发表于:2016/8/17 16:03:00
  • 绝缘栅双极晶体管原理、特点及参数

    绝缘栅双极晶体管原理、特点及参数 绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。
    发表于:2016/8/17 15:49:00
  • 程控单结晶体管(PUT)应用及原理

    程控单结晶体管PUT(Programmable Uniguction Tr-ansistor),又称可编程单结晶体管或可调单结晶体管,程控单结晶体管实质上是一个N极门控晶闸管的功能,但因它与单结晶体管的用途相近,故纳入单结管之列。它与单结晶体管也有重工区别。单结管一经制成,从外部就无法改变rB1、rB2、RBB、ηV、IP、IV等参数值,加之工艺的离散性导致同类单结管的ηV值总会存在一定的偏差,这就给用记带来不便。程控单结晶体管圆满解决了上述问题,它是用外部电阻R1、R2取代内基极电阻rB1、rB2,只需改变二者的电阻比,即可从外部调整其参数值。正是由于PUT器件使用灵活,用途广泛,因此颇受使用者欢迎。
    发表于:2016/8/17 15:40:00
  • “简洁至上”的晶体管甲类音频功率放大器

     Hi-Fi界有一句至理名言,就是“简洁至上”。这就是说,假如能用一个元件或器件做成的电路,就尽量不用两个。电子电路中常用的电子元件有电阻、电容、电感等,常用的电子器件有二极管、三极管及集成电路等。电阻、电容都属于线性元件,在放大电路中可以认为不会因它们而产生非线性失真。但是,目前用于放大的电子器件,不论是电子管、晶体管,还是集成电路,统统都是非线性器件,它们是放大电路中产生非线性失真的根源。因此,在放大电路中应尽量少用管子。要做到这一点也并非容易,所以通常所见到的放大电路都比较复杂。要想“简洁”,必须解决两个问题:一是放大倍数要足够大,至少应该在接CD机时能够达到额定的输出功率;二是非线性失真要尽量小些,在不加负反馈或只加少量的负反馈时,谐波失真系数能够达到Hi-Fi要求。
    发表于:2016/8/17 15:18:00
  • 22纳米3D晶体管技术

     Intel在微处理器晶体管设计上取得重大突破,沿用50多年的传统硅晶体管将实现3D架构,一款名为Tri-Gate的晶体管技术得到实现。
    发表于:2016/8/17 15:16:00
  • 5纳米制程技术挑战重重 成本之高超乎想象

    半导体业自28纳米进步到22/20纳米,受193i光刻机所限,必须采用两次图形曝光技术(DP)。再进一步发展至16/14纳米时,大多采用finFET技术。如今finFET技术也一代一代升级,加上193i的光学技术延伸,采用SADP、SAQP等,所以未来到10纳米甚至7纳米时,基本上可以使用同样的设备,似乎己无悬念,只是芯片的制造成本会迅速增加。然而到5纳米时肯定是个坎,因为如果EUV不能准备好,就要被迫采用五次图形曝光技术(FP),这已引起全球业界的关注。
    发表于:2016/8/16 21:13:00
  • 基于GaN FET的CCM图腾柱无桥PFC

    氮化镓 (GaN) 技术由于其出色的开关特性和不断提升的品质,近期逐渐得到了电力转换应用的青睐。具有低寄生电容和零反向恢复的安全GaN可实现更高的开关频率和效率,从而为全新应用和拓扑选项打开了大门。连续传导模式 (CCM)图腾柱PFC就是一个得益于GaN优点的拓扑。与通常使用的双升压无桥PFC拓扑相比,CCM图腾柱无桥PFC能够使半导体开关和升压电感器的数量减半,同时又能将峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉区域内出现电流尖峰的根本原因,并给出了相应的解决方案。一个750W图腾柱PFC原型机被构造成具有集成栅极驱动器的安全GaN,并且展示出性能方面的提升。
    发表于:2016/8/16 20:59:00