半导体元件若要追上摩尔定律速度，微缩制程就需要更新的技术相挺。化学材料与电子产品间的关系密不可分，美商陶氏化学旗下分公司陶氏电子材料的最新制程：化学机械研磨(CMP)铜制程，主诉求无研磨粒、自停(self-stopping)机制以及研磨垫，提供CMP铜制程高效能、低成本的解决方案。
　　
　　陶氏电子材料CMP研磨液研发总监余维中博士表示，一般含有研磨粒的研磨液，一般会形成erosion或刮痕(scratching)，因此这次的产品研发过程中，力求将缺陷降到最低，以达成更高的良率。此外就成本考量，为了稀释能力，减免研磨垫的清洗及研磨垫conditioning的减低。
　　
　　主要有三大技术优势：首先，在不同的线宽与线谱密度下，均可产生low-dishing及no-erosion。其次，高铜研磨速率(highCurate)、晶圆表面铜的清除能力(clearing)、更具有对于阻绝层(barrierfilms)与介电层(dielectricfilms)的极高选择比；此外，高良率、严格的Rs控制、高产能、以及宽大的制程窗口也是优势之一。
　　
　　陶氏电子是于1897年在美国密西根州创立，1968年在台湾成立台北办事处，目前在台湾还有四个生产基地分别位于桃园、新竹竹南、南投南岗以及嘉义民雄；另于屏东有一陶氏益农试验中心。2009年，陶氏电子并购RohmHaas后，台湾陶氏开始转型，偏重特殊与功能材料，快速进入电子材料市场。综观全球市场，大中华区是陶氏全球第二大市场，总投资9亿美元，去年共销售40.2亿美元。目前，台湾区电子材料部分销售比最高者为半导体材料如研磨液、碳棒…等；印刷电路板居次。