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联电强攻存储器 泉州建厂

2016-04-18
关键词: 联电 记忆体 南科 DRAM

       联电扩大记忆体布局,规划与大陆泉州市政府合作,在泉州兴建12寸晶圆厂,切入利基型记忆体代工。据悉,联电内部已成立专案小组,扩大招募记忆体研发工程师,将先在南科设立小型试产线,全力抢进大陆记忆体市场商机。

  联电发言体系昨(17)日证实,联电已针对切入利基型记忆体代工成立专案小组,并由加入联电担任副总经理的前瑞晶总经理陈正坤领军。至于技术授权、与对岸地方单位合资计画,及建厂进度与投资金额等,将待双方签订合约后才能公布。

  联电未透露大陆记忆体代工业务细节,但已透过国内人力银行网站,扩大对外招募记忆体研发工作师,透露这次扩大记忆体布局动作相当积极。

  半导体设备商透露,联电本周将召集记忆体制程设备厂商开会,并针对在南科设立小型试产线,进行相关设备初期报价,相关研发作业初期以台湾为基地,待与对岸的合资计画签订之后,将可衔接相关作业。

  据了解,联电本来就拥有嵌入式快闪记忆体技术,网罗陈正坤加入联电集团,即规划除了嵌入式快闪记忆体之外,切入利基型DRAM领域,主因记忆体产业,包括储存型快闪记忆体(NAND Flash)及DRAM,都列入大陆重点发展方针。

  联电看好大陆官方将记忆体产业列入重点发展带来的庞大商机,该公司与厦门市政府合资的联芯半导体,原本也打算争取列入大陆国家级NAND Flash和DRAM指标企业,但最后并未成局,而是由清华紫光旗下的同方国芯出线。

  联 电并未因此放弃在大陆设立记忆体代工厂,在泉州市政府积极争取与联电合资后,双方将朝在泉州设立大陆南方首座记忆体代工业务,同时协助大陆相关利基型记忆 体IC设计公司成立,建构完整垂直生态供应链的方向迈进,迎合大陆发展各项3C产品和物联网对记忆体需求成长带来的商机。

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  图/经济日报提供

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