晶圆代工大厂台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)在日前于美国举行的ARM技术论坛(TechCon)上表示，在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体制程" title="半导体制程" target="_blank">半导体制程微缩的途径是清晰可见的，可直达 7nm节点;但在 7nm节点以下，半导体制程微缩的最大挑战来自于经济，并非技术。

　　蒋尚义表示，他有信心半导体产业将在接下来十年找到克服7nm以下节点技术障碍的解决方案;但也指出，新技术虽然能实现7nm以下节点制程芯片量产，却可能得付出高昂代价。当制程节点演进，我们也看到晶圆制造价格比前一代制程增加了许多。

　　在ARM技术论坛的另一场专题演说中，EDA供货商Cadence Design Systems旗下Silicon Realization部门的资深研发副总裁徐季平(Chi-Ping Hsu)，演示文稿了半导体制程从32/28nm节点过渡到22/20nm节点的制程技术研发成本增加幅度;他举例指出，如果32/28nm节点需成本是12亿美元，来到22/20nm节点，该成本规模将增加至21至30亿美元。

　　至于芯片设计成本，则会从32nm节点所需的5,000万至9,000万美元，在22nm节点增加至1.2亿至5亿美元。徐季平并指出，在32nm节点，芯片销售量需要达到3,000至4,000万颗，才能打平成本;但到了20nm节点，该门槛会提高至6,000万至1亿颗。

　　FinFET是一种 3D晶体管技术，目前正初步获得芯片制造商的采用;大厂英特尔(Intel)则是将其3D晶体管技术称为三闸(tri-gate)，业界预计该公司将在今年底推出采用3D晶体管技术所生产的22nm芯片样品。

　　蒋尚义表示，22nm节点会是半导体产业采用平面晶体管技术(planar transistor)的最后一个时代。在此之后，该技术就会功成身退。