上海，2020年7月24日 – 富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型号为MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量达到FRAM产品最高水平，运作温度最高可达125℃。目前可为客户提供评测版样品。

这款全新FRAM是非易失性内存产品，在125℃高温环境下可以达到10兆次读/写次数，工作电流低，是工业机器人和高级驾驶辅助系统（ADAS）等汽车应用的最佳选择。

FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存，并已量产20多年，近年来广泛用于可穿戴设备、工业机器人和无人机。

自去年发布以来，2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽车和工业设备中获得广泛应用，而MB85RS4MTY将其容量提高了一倍，达到4M bit，满足更高容量的需求，配有SPI接口，工作电压为1.8V至3.6V。由于这款FRAM工作电流低，即使在125℃高温下，最大工作电流仅为4mA（运作频率50MHz），最大掉电模式电流为30µA，因此有助于降低环境敏感应用的功耗。

这款全新FRAM在-40℃至+ 125℃温度范围内可以达到10兆次读/写次数，适合某些需要实时数据记录的应用。例如，每0.03毫秒重写一次数据，同一地址连续记录数据可达10年之久。

这款FRAM产品采用业界标准8-pin SOP封装，可轻松取代现有类似引脚的EEPROM。此外，还提供8-pin DFN（无引线双侧扁平）封装。

图1：MB85RS4MTY 8-pin DFN（顶部・底部）

图2：FRAM应用实例

富士通电子将继续提供内存产品和解决方案，满足市场和客户的未来需求。

关键规格

• 组件型号：MB85RS4MT

• 容量（组态）：4 Mbit（512K x 8位）

• 接口：SPI（Serial Peripheral Interface）

• 运作频率：最高50 MHz

• 运作电压：1.8V - 3.6V

• 运作温度范围：-40°C - +125°C

• 读/写耐久性：10兆次（1013次）

• 封装规格：8-pin DFN，8-pin SOP

词汇与备注

铁电随机存取内存（FRAM）

FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存，即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM结合了ROM和RAM的特性，并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。富士通自1999年即开始生产FRAM，亦称为FeRAM。